| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 量子限制效应与量子点 | 第8页 |
| 1.3 碳化硅 | 第8-10页 |
| 1.4 碳化硅量子点 | 第10页 |
| 1.5 碳化硅量子点的应用 | 第10-12页 |
| 1.6 碳化硅量子点的研究现状 | 第12页 |
| 参考文献 | 第12-17页 |
| 第二章 化学腐蚀法制备的3C-SiC量子点的表面性能 | 第17-30页 |
| 2.1 引言 | 第17-19页 |
| 2.2 实验 | 第19-20页 |
| 2.2.1 悬浮于不同液体中的3C-SiC量子点的制备 | 第19-20页 |
| 2.2.2 样品表征 | 第20页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第20-26页 |
| 2.3.1 3C-SiC量子点的形貌与尺寸 | 第20-21页 |
| 2.3.2 3C-SiC纳米晶体在不同pH值的去离子水液体中的PL谱 | 第21-22页 |
| 2.3.3 3C-SiC纳米晶体在不同溶剂中的PL谱 | 第22-26页 |
| 2.4 结论 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-30页 |
| 第三章 激光烧蚀法从6H-SiC陶瓷片制备3C-SiC量子点 | 第30-43页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 实验 | 第30-33页 |
| 3.2.1 实验原理 | 第30-32页 |
| 3.2.2 制备方法 | 第32-33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-40页 |
| 3.3.1. SiC量子点的形貌与尺寸 | 第33-35页 |
| 3.3.2 SiC量子点的光致发光谱 | 第35-37页 |
| 3.3.3. SiC量子点的紫外-可见吸收光谱 | 第37-39页 |
| 3.3.4 傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR) | 第39-40页 |
| 3.3.5 约2nm的颗粒形成原因分析 | 第40页 |
| 3.4 结论 | 第40页 |
| 参考文献 | 第40-43页 |
| 第四章 激光烧蚀法制备非晶碳化硅量子点 | 第43-52页 |
| 4.1 引言 | 第43-44页 |
| 4.2 实验 | 第44页 |
| 4.2.1 样品的制备 | 第44页 |
| 4.2.2 样品的表征 | 第44页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第44-50页 |
| 4.3.1 非晶SiC纳米颗粒的形貌与尺寸 | 第44-45页 |
| 4.3.2 非晶SiC纳米颗粒的傅里叶红外光吸收谱 | 第45-46页 |
| 4.3.3 非晶SiC纳米颗粒的紫外-可见吸收谱 | 第46-48页 |
| 4.3.4 非晶SiC纳米颗粒的光致发光光谱 | 第48-49页 |
| 4.3.5 非晶SiC纳米颗粒的形成机理 | 第49-50页 |
| 4.4 结论 | 第50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 研究生期间已发表论文 | 第53-54页 |
