| 致谢 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·光催化材料及技术概述 | 第10-12页 |
| ·光催化技术的研究背景 | 第10-11页 |
| ·光催化剂的种类及改性技术 | 第11-12页 |
| ·BIVO_4(s-M)半导体材料概述 | 第12-16页 |
| ·BiVO_4(s-m)的性质结构和用途 | 第12-14页 |
| ·BiVO_4的催化机理 | 第14页 |
| ·BiVO_4的研究现状 | 第14-16页 |
| ·异质结半导体 | 第16-18页 |
| ·异质结半导体原理 | 第16-17页 |
| ·异质结半导体在光催化中的应用 | 第17-18页 |
| ·碳球(CS)研究及应用 | 第18-20页 |
| ·新型电极/电池制备 | 第19页 |
| ·催化剂的负载 | 第19-20页 |
| ·C的敏化 | 第20页 |
| ·选题依据、研究目的及内容 | 第20-23页 |
| ·选题背景及依据 | 第20-21页 |
| ·研究目的和意义 | 第21页 |
| ·研究内容 | 第21-23页 |
| 2 实验材料、仪器及分析方法介绍 | 第23-31页 |
| ·实验材料和仪器 | 第23-24页 |
| ·实验材料 | 第23页 |
| ·实验仪器 | 第23-24页 |
| ·实验分析方法 | 第24-26页 |
| ·气相色谱分析条件及GC标准曲线绘制 | 第24页 |
| ·甲苯标准曲线的绘制 | 第24-25页 |
| ·UV-Vis分析条件 | 第25页 |
| ·MB标准曲线的绘制 | 第25-26页 |
| ·催化剂活性评价 | 第26-27页 |
| ·降解甲苯活性测试 | 第26页 |
| ·降解亚甲基蓝(MB)活性测试 | 第26-27页 |
| ·催化剂表征分析仪器及原理 | 第27-31页 |
| ·X-射线衍射(XRD)分析 | 第27-28页 |
| ·紫外可见(UV-vis)漫反射光谱分析 | 第28-29页 |
| ·透射电镜(TEM)分析/HRTEM/EDX | 第29页 |
| ·扫描电镜(SEM)分析 | 第29页 |
| ·FTIR分析 | 第29-30页 |
| ·循环伏安法(CV)分析 | 第30-31页 |
| 3 BiVO_4(s-m)水热法制备、表征和光催化性能初探 | 第31-36页 |
| ·实验过程 | 第31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-35页 |
| ·XRD表征结果分析 | 第31-32页 |
| ·SEM和TEM-HRTEM表征结果分析 | 第32-33页 |
| ·UV-vis表征结果分析 | 第33-34页 |
| ·FTIR表征结果分析 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 4 Fe、Cu及Nb修饰BiVO_4研究及性能优化 | 第36-45页 |
| ·实验过程 | 第36-38页 |
| ·金属修饰BiVO_4制备 | 第36-37页 |
| ·金属修饰BiVO_4的活性表征 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-44页 |
| ·Fe、Cu及Nb修饰的影响及筛选 | 第38-40页 |
| ·Cu含量的影响 | 第40-41页 |
| ·煅烧温度的影响 | 第41-42页 |
| ·CuO-BiVO_4降解MB机理研究 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 5 新型CuO-BiVO_4@C的制备、表征和光催化活性研究 | 第45-57页 |
| ·实验过程 | 第45-46页 |
| ·CuO-BiVO_4@C制备方法 | 第45-46页 |
| ·CuO-BiVO_4@C的分析仪器 | 第46页 |
| ·光催化活性测试 | 第46页 |
| ·CuO-BIVO_4@C结果与讨论 | 第46-57页 |
| ·CuO-BiVO_4@C的表征与优化 | 第46-51页 |
| ·光催化活性测试 | 第51-54页 |
| ·CuO-BiVO_4@C合成与降解污染物电子转移机理图 | 第54-57页 |
| 6 结论、创新点及建议 | 第57-59页 |
| ·结论 | 第57页 |
| ·创新点 | 第57-58页 |
| ·建议 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-68页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间发表的学术论文和专利 | 第68页 |
