| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-63页 |
| ·狄拉克材料简介 | 第14-29页 |
| ·狄拉克材料体系的发展 | 第14-17页 |
| ·狄拉克费米子的色散关系、手征性和朗道量子化 | 第17-20页 |
| ·狄拉克材料：石墨烯、拓扑绝缘体、狄拉克半金属 | 第20-29页 |
| ·石墨烯的研究现状 | 第20-23页 |
| ·拓扑绝缘体的发展 | 第23-27页 |
| ·狄拉克半金属和Weyl半金属 | 第27-29页 |
| ·狄拉克材料中的电子输运 | 第29-45页 |
| ·介观量子输运简介 | 第29-33页 |
| ·量子相干输运 | 第29-32页 |
| ·磁场下的朗道量子化 | 第32-33页 |
| ·狄拉克材料中的电子输运性质——石墨烯 | 第33-37页 |
| ·狄拉克材料中的电子输运性质——拓扑绝缘体 | 第37-41页 |
| ·狄拉克材料中的电子输运性质——狄拉克/Weyl半金属 | 第41-45页 |
| ·本文主要内容概要 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-63页 |
| 第二章 水热法合成Sb掺杂Bi_2Se_3纳米片和电子声子散射 | 第63-84页 |
| ·拓扑绝缘体中的散射机制 | 第63-66页 |
| ·样品制备 | 第66-67页 |
| ·Sb掺杂的Bi_2Se_3纳米片的器件加工 | 第67-68页 |
| ·样品基本电学特性分析 | 第68-70页 |
| ·拓扑绝缘体Bi_2Se_3纳米片的磁输运性质 | 第70-74页 |
| ·拓扑绝缘体Bi_2Se_3的磁输运现象 | 第70-71页 |
| ·弱反局域化和普适电导涨落 | 第71-74页 |
| ·拓扑绝缘体中的电子声子相互作用 | 第74-78页 |
| ·电声子相互作用的退相干机制 | 第74-76页 |
| ·电声子相互作用的变温电阻 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78页 |
| 参考文献 | 第78-84页 |
| 第三章 石墨烯的加工与电输运调控 | 第84-110页 |
| ·研究背景 | 第84-87页 |
| ·石墨烯的电子散射机制 | 第84-87页 |
| ·样品制备和表征 | 第87-91页 |
| ·石墨烯样品的选择 | 第87-88页 |
| ·石墨烯器件的微加工 | 第88-90页 |
| ·原位剥离多层石墨烯器件 | 第90-91页 |
| ·双层石墨烯的巨磁阻现象 | 第91-93页 |
| ·石墨烯的Bi团簇修饰 | 第93-102页 |
| ·铋团簇修饰的石墨烯 | 第95-97页 |
| ·铋修饰石墨烯的电子输运性质 | 第97-98页 |
| ·铋修饰石墨烯的SdH振荡和短程散射 | 第98-102页 |
| ·本章小结 | 第102页 |
| 参考文献 | 第102-110页 |
| 第四章 Cd_3As_2薄膜中的弱反局域化 | 第110-124页 |
| ·研究背景 | 第110-113页 |
| ·Cd_3As_2低维结构中的电学输运 | 第110-113页 |
| ·样品制备与测量 | 第113-116页 |
| ·弱反局域化效应 | 第116-119页 |
| ·平行磁场条件下的二维体系 | 第119-120页 |
| ·本章小结 | 第120-121页 |
| 参考文献 | 第121-124页 |
| 第五章 总结与展望 | 第124-126页 |
| ·本文工作总结 | 第124-125页 |
| ·展望 | 第125-126页 |
| 攻读博士期间发表和待发表的学术论文 | 第126-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |