| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·超大规模集成电路（ULSI）的现状与发展方向 | 第10-11页 |
| ·铜互连技术 | 第11-13页 |
| ·IC互连技术的发展 | 第11-12页 |
| ·铜互连线的制备方法 | 第12-13页 |
| ·铜互连技术面临的挑战 | 第13页 |
| ·超薄薄膜沉积技术 | 第13-16页 |
| ·超薄薄膜沉积的方法和发展 | 第13-14页 |
| ·原子层沉积（ALD） | 第14-15页 |
| ·等离子体辅助原子层沉积（PA-ALD） | 第15-16页 |
| ·铜籽晶层及原子层沉积铜薄膜研究现状 | 第16-18页 |
| ·扩散阻挡层及其研究现状 | 第18-20页 |
| ·论文研究的目的、意义及主要研究内容 | 第20-21页 |
| ·论文研究的目的及意义 | 第20页 |
| ·主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 PA-ALD制备超薄薄膜实验及表征设备 | 第21-25页 |
| ·等离子体辅助原子层沉积装置 | 第21-22页 |
| ·基片处理 | 第22页 |
| ·薄膜沉积 | 第22页 |
| ·超薄薄膜的表征设备 | 第22-25页 |
| ·薄膜沉积在线表征 | 第22-23页 |
| ·薄膜的离线表征 | 第23-25页 |
| 第三章 前驱体合成 | 第25-33页 |
| ·前驱体及其表征 | 第25-26页 |
| ·铜前驱体合成 | 第26-30页 |
| ·铜前驱体的种类及特点 | 第26-29页 |
| ·脒基铜前驱体的合成和表征 | 第29-30页 |
| ·锰前驱体 | 第30-33页 |
| ·锰前驱体的种类及研究现状 | 第30-31页 |
| ·锰前驱体的合成和表征 | 第31-33页 |
| 第四章 脒基铜前驱体用于等离子体辅助原子层沉积金属铜薄膜的研究 | 第33-51页 |
| ·脒基铜前驱体及研究现状 | 第33-34页 |
| ·铜薄膜沉积实验 | 第34-35页 |
| ·铜薄膜原子层沉积设备 | 第34页 |
| ·铜薄膜沉积工艺 | 第34-35页 |
| ·实验结果 | 第35-48页 |
| ·ALD铜薄膜生长 | 第35-37页 |
| ·沉积温度对铜薄膜生长的影响 | 第37-39页 |
| ·50 °C下沉积铜薄膜的离线表征 | 第39-43页 |
| ·QCM对薄膜生长过程的在线表征结果 | 第43-46页 |
| ·时间分辨OES在线诊断 | 第46-48页 |
| ·结果讨论 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 Mn(~(tBu2)DAD)_2 前驱体用于等离子体辅助原子层沉积氮化锰薄膜的研究 | 第51-59页 |
| ·氮化锰薄膜的介绍 | 第51-52页 |
| ·氮化锰薄膜沉积实验 | 第52-53页 |
| ·氮化锰薄膜原子层沉积设备 | 第52页 |
| ·PA-ALD氮化锰薄膜工艺 | 第52-53页 |
| ·实验结果 | 第53-58页 |
| ·薄膜生长 | 第53-54页 |
| ·沉积温度对薄膜生长的影响 | 第54-56页 |
| ·H_2/NH_3混合气体放电对薄膜沉积的影响 | 第56-57页 |
| ·NH_3气体脱氧纯化后对薄膜沉积的影响 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 结论和展望 | 第59-61页 |
| ·本文的主要研究成果与结论 | 第59-60页 |
| ·本文的创新之处 | 第60页 |
| ·进一步工作展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 硕士期间发表的学术论文 | 第68页 |