| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·SiC 一维纳米材料概述 | 第10-17页 |
| ·SiC 一维纳米材料的性能及应用 | 第11-12页 |
| ·SiC 一维纳米材料的制备方法 | 第12-15页 |
| ·SiC 一维纳米材料的生长机制及影响因素 | 第15-17页 |
| ·数值模拟技术在 CVD 工艺中的应用 | 第17-19页 |
| ·数值模拟技术在一维纳米材料生长中的应用 | 第19-20页 |
| ·本文选题依据及主要内容 | 第20-23页 |
| ·选题依据 | 第20-21页 |
| ·主要内容 | 第21-23页 |
| 2 模拟计算方法简介 | 第23-32页 |
| ·计算流体力学（CFD）原理 | 第23-27页 |
| ·CFD 原理简介 | 第23页 |
| ·CFD 原理基本方程组 | 第23-24页 |
| ·层流和紊流 | 第24页 |
| ·SIMPLE 算法 | 第24-25页 |
| ·Fluent 软件简介 | 第25-27页 |
| ·密度泛函理论 | 第27-32页 |
| ·密度泛函理论简介 | 第27页 |
| ·Hohenberg-Kohn 理论 | 第27-29页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第29-30页 |
| ·Materials Studio 软件简介 | 第30-32页 |
| 3 连续制备 SiC 一维纳米材料的反应室设计及优选 | 第32-44页 |
| ·制备 SiC 一维纳米材料物料盒的设计 | 第32-35页 |
| ·“S”型结构反应室 | 第32-33页 |
| ·“三角”型结构反应室 | 第33-34页 |
| ·“双三角”型结构反应室 | 第34页 |
| ·“回”型结构反应室 | 第34-35页 |
| ·各反应室内温度场和气流场的数值模拟 | 第35-39页 |
| ·各反应室流体模型及网格划分 | 第35-36页 |
| ·控制方程及边界条件 | 第36-37页 |
| ·离散化求解 | 第37-38页 |
| ·数值求解过程 | 第38-39页 |
| ·连续制备 SiC 一维纳米材料的 CVD 反应室的优选 | 第39-42页 |
| ·各反应室内温度场的分布比较 | 第39-40页 |
| ·各反应室内气流场的分布比较 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 4 反应室内各气相组分的分布,温度及气体流速对SIC沉积速率影响规律的模拟研究 | 第44-53页 |
| ·化学模型的建立与反应组分的物性参数 | 第44-46页 |
| ·化学模型的建立 | 第44页 |
| ·物性参数 | 第44-46页 |
| ·模拟结果与分析 | 第46-51页 |
| ·反应室内各反应组分的分布 | 第46-49页 |
| ·基片上 SiC 沉积速率的分布 | 第49-51页 |
| ·实验验证 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 5 基于密度泛函理论优选制备 SIC 纳米材料的催化剂 | 第53-70页 |
| ·模型建立 | 第53-56页 |
| ·吸附能计算 | 第56-59页 |
| ·态密度分析 | 第59-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 6 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 攻读硕士学位期间主要成绩 | 第80-81页 |
