| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-15页 |
| 第1章 绪论 | 第15-30页 |
| ·铁电薄膜概述 | 第15-16页 |
| ·铁电薄膜材料 | 第15-16页 |
| ·铁电薄膜的发展及其应用 | 第16页 |
| ·铁电薄膜沉积方法和工艺调控 | 第16-21页 |
| ·铁电薄膜制备的物理和化学沉积方法 | 第16-20页 |
| ·铁电薄膜性能的工艺调控 | 第20-21页 |
| ·铁电薄膜的物理力电学性能 | 第21-23页 |
| ·铁电薄膜的压电性能及表征方法 | 第21页 |
| ·残余应力对铁电薄膜的影响及表征方法 | 第21-22页 |
| ·力电场作用畴变及表征方法 | 第22-23页 |
| ·钛酸盐类铁电薄膜的研究状况 | 第23-26页 |
| ·BIT基无铅铁电薄膜概述 | 第23-25页 |
| ·NBT基无铅弛豫铁电薄膜概述 | 第25-26页 |
| ·本论文的选题依据和主要内容 | 第26-30页 |
| ·本文的选题依据 | 第26-28页 |
| ·本文的主要内容 | 第28-30页 |
| 第2章 铁电薄膜微结构与力电性能表征和分析方法 | 第30-39页 |
| ·铁电薄膜微结构表征方法 | 第30-33页 |
| ·X射线衍射仪 | 第30-31页 |
| ·X射线能谱仪 | 第31页 |
| ·Raman光谱仪 | 第31页 |
| ·原子力显微镜 | 第31-32页 |
| ·场发射扫描电镜 | 第32-33页 |
| ·铁电薄膜电学性能表征 | 第33-36页 |
| ·铁电测试仪 | 第33页 |
| ·半导体特性分析系统 | 第33-34页 |
| ·阻抗分析仪 | 第34页 |
| ·压电测试系统 | 第34-35页 |
| ·压电力显微镜 | 第35-36页 |
| ·残余应力的测量方法 | 第36-37页 |
| ·传统和扩展sin2ψ法 | 第36页 |
| ·取向平均方法 | 第36-37页 |
| ·铁电薄膜弛豫性能表征分析 | 第37-38页 |
| ·介电温谱测试系统 | 第37页 |
| ·弛豫度定量分析 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第3章 退火温度对A位掺杂BIT-基铁电薄膜力电学性能影响 | 第39-48页 |
| ·BET铁电薄膜MOD法制备 | 第39-41页 |
| ·制膜所需的仪器与环境要求 | 第39-40页 |
| ·BET铁电薄膜前驱液配制 | 第40-41页 |
| ·基底清洗和薄膜制备流程 | 第41页 |
| ·BET0.75铁电薄膜的形貌和晶体结构 | 第41-43页 |
| ·不同退火温度薄膜表面和横截面形貌 | 第41-42页 |
| ·铁电薄膜的晶体结构 | 第42-43页 |
| ·BET0.75铁电薄膜的力电性能 | 第43-46页 |
| ·电滞回线和介电频谱分析 | 第43-44页 |
| ·蝶形曲线分析 | 第44-46页 |
| ·退火温度对BIT-基铁电薄膜压电性能的影响机制 | 第46-47页 |
| ·c-轴取向对铁电薄膜压电性能影响 | 第46-47页 |
| ·铁电薄膜本征压电响应的唯相方程 | 第47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第4章 Bi挥发对A位掺杂BIT-基铁电薄膜力电学性能的影响 | 第48-56页 |
| ·不同退火温度BET0.85铁电薄膜的微观结构 | 第48-50页 |
| ·表面和横截面形貌分析 | 第48-49页 |
| ·晶体结构分析 | 第49-50页 |
| ·不同退火温度BET0.85铁电薄膜的Bi挥发量表征 | 第50-51页 |
| ·薄膜化学成分分析 | 第50页 |
| ·不同退火温度薄膜Bi挥发量分析 | 第50-51页 |
| ·BET0.85薄膜的介电、铁电性能及漏电流分析 | 第51-53页 |
| ·介电常数和损耗的频率依赖关系 | 第51-52页 |
| ·极化特性和漏电流分析 | 第52-53页 |
| ·力电性能随退火温度变化关系分析 | 第53-54页 |
| ·压电响应曲线分析 | 第53页 |
| ·极化和压电性能随退火温度变化关系 | 第53-54页 |
| ·Bi挥发对BIT-基铁电薄膜压电性能影响机制 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 具有多层结构BIT-基铁电薄膜电学性能的增强 | 第56-64页 |
| ·多层结构BIT基铁电薄膜的制备 | 第56-57页 |
| ·实验药剂和前驱体溶液配置 | 第56-57页 |
| ·多层结构BIT基铁电薄膜的制备流程 | 第57页 |
| ·多层结构BIT基铁电薄膜的微观结构和化学成分分析 | 第57-59页 |
| ·表面和横截面形貌分析 | 第57页 |
| ·铁电薄膜的化学成分和晶体结构分析 | 第57-59页 |
| ·多层结构BIT基铁电薄膜电学性能分析 | 第59-62页 |
| ·P-E回线分析 | 第59-60页 |
| ·εr和tanδ与频率的关系曲线分析 | 第60-61页 |
| ·J-E特征曲线分析 | 第61-62页 |
| ·M-W电容对薄膜介电性能的增强机理 | 第62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 第6章 双A位掺杂BENT铁电薄膜的力电性能 | 第64-75页 |
| ·BENT铁电薄膜制备 | 第64-65页 |
| ·双A位掺杂铁电薄膜前驱体溶液配置 | 第64-65页 |
| ·BENT铁电薄膜制备流程 | 第65页 |
| ·双A位掺杂BENT铁电薄膜微观结构和成分 | 第65-67页 |
| ·薄膜表面和界面形貌 | 第65页 |
| ·薄膜的晶体结构和化学成分表征 | 第65-67页 |
| ·BENT铁电薄膜的电学性能 | 第67-70页 |
| ·薄膜介电频谱分析 | 第67-68页 |
| ·薄膜漏电流分析 | 第68-69页 |
| ·薄膜极化性能分析 | 第69-70页 |
| ·BENT铁电薄膜的力学性能 | 第70-73页 |
| ·薄膜纳米压痕分析 | 第70-71页 |
| ·薄膜残余应力测算 | 第71-73页 |
| ·晶格拉扭对双A位掺杂铁电薄膜铁电性能的增强机制 | 第73-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第7章 退火温度对NBT-BT6铁电薄膜力电学性能影响 | 第75-87页 |
| ·NBT-BT6弛豫铁电薄膜MOD法制备 | 第75-76页 |
| ·NBT-BT6前驱体溶液配置 | 第75-76页 |
| ·NBT-BT6弛豫铁电薄膜制备流程 | 第76页 |
| ·NBT-BT6弛豫铁电薄膜微观结构 | 第76-78页 |
| ·表面和界面形貌分析 | 第76-78页 |
| ·晶体结构分析 | 第78页 |
| ·NBT-BT6铁电薄膜的电学性能 | 第78-81页 |
| ·极化强度与电场关系曲线 | 第78-79页 |
| ·介电和损耗与频率关系曲线 | 第79-80页 |
| ·介电温谱分析 | 第80-81页 |
| ·NBT-BT6铁电薄膜的力学性能 | 第81-83页 |
| ·电位移和压电系数与电场关系曲线 | 第81-82页 |
| ·取向平均方法估算NBT-BT6铁电薄膜残余应力 | 第82-83页 |
| ·残余应力对薄膜极化强度影响的理论分析 | 第83-86页 |
| ·力电性能随退火温度变化关系 | 第83-84页 |
| ·基于Landau-Devonshire唯象理论模型的建立 | 第84页 |
| ·残余应力和极化强度的关系 | 第84-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 第8章 外加力电场对NBT-BTx弛豫铁电薄膜极化特性影响 | 第87-103页 |
| ·NBT-BTx弛豫铁电薄膜的制备和微观结构 | 第87-89页 |
| ·变组分NBT-基薄膜制备流程 | 第87页 |
| ·NBT-BTx弛豫铁电薄膜微观结构 | 第87-89页 |
| ·力场作用畴变及其压电响应 | 第89-93页 |
| ·力场作用形貌分析 | 第89-90页 |
| ·外加力场下相位图分析 | 第90-92页 |
| ·力载荷作用振幅图分析 | 第92页 |
| ·力场畴变后压电响应分析 | 第92-93页 |
| ·电场作用畴翻转及其压电性能 | 第93-98页 |
| ·扫描区域选择和电畴结构分析 | 第93-97页 |
| ·不同电场极化面内振幅图分析 | 第97-98页 |
| ·电场极化条件下压电性能分析 | 第98页 |
| ·薄膜保持性分析及其压电特性 | 第98-102页 |
| ·形貌随时间演化分析 | 第98-99页 |
| ·电畴和振幅保持性分析 | 第99-100页 |
| ·压电性能随时间演化分析 | 第100-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 第9章 总结和展望 | 第103-106页 |
| ·论文总结 | 第103-105页 |
| ·工作展望 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
| 攻读博士期间已发表的论文及公开的专利 | 第118-119页 |
| 攻读博士期间所主持的科研项目和参加的学术会议 | 第119页 |
