| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-37页 |
| ·高功率边发射半导体激光器的研究进展及应用 | 第16-20页 |
| ·高功率面发射半导体激光器的研究进展及应用 | 第20-33页 |
| ·半导体激光器光学薄膜的研究现状 | 第33-34页 |
| ·本论文的主要工作 | 第34-37页 |
| ·论文工作的主要内容 | 第34-35页 |
| ·论文的结构安排 | 第35-37页 |
| 第2章 半导体激光器理论 | 第37-61页 |
| ·半导体激光器基本参数 | 第37-52页 |
| ·法布里波罗结构半导体激光器 | 第37-44页 |
| ·VCSEL 基本性能参数 | 第44-52页 |
| ·光学薄膜对半导体激光器性能的影响 | 第52-54页 |
| ·增透膜对 VCSEL 的影响 | 第52-53页 |
| ·增透膜及高反膜对边发射半导体激光器性能的影响 | 第53-54页 |
| ·边发射半导体激光器反射膜电场分布优化设计 | 第54-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第3章 半导体激光器薄膜的制备工艺 | 第61-77页 |
| ·光学薄膜材料的选取 | 第61-63页 |
| ·电子束蒸发原理及 Leybold 镀膜机系统介绍 | 第63-67页 |
| ·光学薄膜制备方法 | 第67-69页 |
| ·808nmHR 的制备工艺 | 第67页 |
| ·1555nm 带通滤光膜的制备工艺 | 第67-69页 |
| ·磁控溅射原理和 Denton 磁控溅射系统介绍 | 第69-74页 |
| ·薄膜的测试方法 | 第74-76页 |
| ·薄膜透过率的测量 | 第74页 |
| ·薄膜反射率的测量 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第4章 高功率半导体激光器的制备工艺 | 第77-101页 |
| ·外延片生长技术 | 第77-79页 |
| ·外延片的清洗 | 第79-83页 |
| ·化学湿法清洗 | 第80-81页 |
| ·低频等离子清洗 | 第81-82页 |
| ·高频等离子清洗 | 第82-83页 |
| ·光刻 | 第83-87页 |
| ·刻蚀 | 第87-93页 |
| ·湿法腐蚀 | 第88-90页 |
| ·干法刻蚀 | 第90-93页 |
| ·侧氧化技术 | 第93-95页 |
| ·解离划片和封装 | 第95-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 第5章 器件的测试结果与分析 | 第101-119页 |
| ·高功率 808nm 垂直腔面发射激光器特性分析 | 第101-111页 |
| ·高峰值功率 VCSEL 的输出性能 | 第102-104页 |
| ·高功率 VCSEL 的温漂特性 | 第104-108页 |
| ·高功率 VCSEL 的近、远场分布 | 第108-111页 |
| ·高功率 808nm 边发射半导体激光器的腔面优化分析 | 第111-112页 |
| ·高功率激光器介质薄膜的优化制备 | 第112-116页 |
| ·离子辅助沉积对于表面形貌的影响 | 第112-113页 |
| ·退火对薄膜应力的影响 | 第113-114页 |
| ·薄膜厚度对薄膜应力的影响 | 第114-115页 |
| ·生长速率对于薄膜应力的影响 | 第115-116页 |
| ·本章小结 | 第116-119页 |
| 第6章 总结与展望 | 第119-122页 |
| 参考文献 | 第122-133页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第133-135页 |
| 指导教师及作者简介 | 第135-137页 |
| 致谢 | 第137页 |