| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-37页 |
| ·引言 | 第12-13页 |
| ·高 K 栅介质材料的选择要求 | 第13-15页 |
| ·新型 HF 基高 K 材料的发展历程 | 第15-24页 |
| ·铝元素的掺入 | 第16-17页 |
| ·氮元素的掺入 | 第17-18页 |
| ·硅元素的掺入 | 第18-19页 |
| ·钽元素的掺入 | 第19-20页 |
| ·稀土元素的掺入 | 第20-24页 |
| ·新型 HF 基高 K 材料的制备方法 | 第24-26页 |
| ·蒸发法 | 第24-25页 |
| ·溅射法 | 第25页 |
| ·化学气相沉积法 | 第25页 |
| ·原子层淀积法 | 第25-26页 |
| ·新型 HF 基高 K 材料的理论模拟研究进展 | 第26-28页 |
| ·本文的工作 | 第28-31页 |
| 参考文献 | 第31-37页 |
| 第二章 样品的制备和表征 | 第37-57页 |
| ·样品的制备方法 | 第37-42页 |
| ·双离子束溅射沉积技术 | 第37-40页 |
| ·射频磁控溅射技术 | 第40-42页 |
| ·HFSIO(N), HFSICEO 及 HFRE(GD, CE)O 薄膜的制备参数 | 第42-43页 |
| ·基片的清洗 | 第43页 |
| ·薄膜的表征 | 第43-56页 |
| ·膜厚测量 | 第44-45页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第45-46页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第46-47页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第47-49页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第49-50页 |
| ·拉曼光谱（Raman） | 第50-51页 |
| ·紫外-可见光透射（UV-VIS） | 第51-52页 |
| ·MOS 结构高频 C-V 特性测试 | 第52-54页 |
| ·MOS 结构 I-V 特性测试 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第三章 HfSiO 和 HfSiON 栅介质薄膜的制备及性质的研究 | 第57-87页 |
| ·HFSIO 和 HFSION 栅介质薄膜的制备 | 第57-58页 |
| ·HFSIO 和 HFSION 栅介质薄膜结晶度的研究 | 第58-59页 |
| ·退火对 HFSIO 和 HFSION 栅介质薄膜结构和性能的影响 | 第59-69页 |
| ·不同温度退火对 HfSiO 和 HfSiON 栅介质结构的影响 | 第59-64页 |
| ·不同温度退火对 HfSiO 和 HfSiON 栅介质电学性能的影响 | 第64-69页 |
| ·辅源离子能量对 HFSION 栅介质薄膜结构和性能的影响 | 第69-75页 |
| ·不同辅源能量对 HfSiON 栅介质薄膜结构的影响 | 第69-72页 |
| ·不同辅源能量对 HfSiON 栅介质电学性能的影响 | 第72-75页 |
| ·金属电极对 HFSIO 栅介质薄膜性能的影响 | 第75-82页 |
| ·不同金属电极对 HfSiO 栅介质薄膜电学性能的影响 | 第76-80页 |
| ·不同金属电极对 HfSiO 栅介质栅漏机制的影响 | 第80-82页 |
| ·本章小结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第四章 HfGdO 和 HfCeO 栅介质薄膜的制备及性质的研究 | 第87-104页 |
| ·HFGDO 和 HFCEO 栅介质薄膜的制备 | 第88-89页 |
| ·氧空位导致 HFO2栅介质薄膜光致发光性质的研究 | 第89-93页 |
| ·HFGDO 和 HFCEO 栅介质薄膜的结构分析 | 第93-99页 |
| ·HfGdO 和 HfCeO 栅介质薄膜的 UVS 表征 | 第94-95页 |
| ·HfGdO 和 HfCeO 栅介质薄膜的 XRD 表征 | 第95-96页 |
| ·HfGdO 和 HfCeO 栅介质薄膜的 PL 表征 | 第96-97页 |
| ·HfGdO 和 HfCeO 栅介质薄膜的 XPS 表征 | 第97-99页 |
| ·HFGDO 和 HFCEO 栅介质薄膜的电学性质的分析 | 第99-102页 |
| ·HfGdO 和 HfCeO 栅介质薄膜的 I-V 表征 | 第99-101页 |
| ·HfGdO 和 HfCeO 栅介质薄膜的 C-V 表征 | 第101-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-104页 |
| 第五章 HfSiCeO 栅介质薄膜的制备及性质的研究 | 第104-111页 |
| ·HFSICEO 栅介质薄膜的制备 | 第104-105页 |
| ·HFSICEO 栅介质薄膜的结构分析 | 第105-107页 |
| ·HfSiCeO 栅介质薄膜的 EDAX 和 XRD 表征 | 第105-106页 |
| ·HfSiCeO 栅介质薄膜的 UVS 表征 | 第106-107页 |
| ·HFSICEO 栅介质薄膜的电学性质的分析 | 第107-109页 |
| ·HfSiCeO 栅介质薄膜的 I-V 表征 | 第107-108页 |
| ·HfSiCeO 栅介质薄膜的 C-V 表征 | 第108-109页 |
| ·本章小结 | 第109-111页 |
| 第六章 理论计算 | 第111-117页 |
| ·新型 HF 基高 K 材料的计算模拟方法 | 第111-113页 |
| ·VASP 软件的介绍 | 第113页 |
| ·GD 的掺杂对 HFO2栅介质薄膜氧空位的影响 | 第113-115页 |
| ·第一性原理计算 | 第114页 |
| ·计算结果 | 第114-115页 |
| ·本章小结 | 第115-116页 |
| 参考文献 | 第116-117页 |
| 第七章 结论和展望 | 第117-120页 |
| ·本论文的主要结论 | 第117-119页 |
| ·工作展望 | 第119-120页 |
| 论文创新点 | 第120-121页 |
| 攻读博士学位期间公开发表的论文及科研成果 | 第121-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
