| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-14页 |
| 第二章 文献综述 | 第14-28页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第14-18页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第14-15页 |
| ·ZnO的物理性质 | 第15-16页 |
| ·ZnO薄膜晶体管 | 第16-17页 |
| ·TFT的性能表征 | 第17-18页 |
| ·ZnO基非晶氧化物半导体 | 第18-20页 |
| ·ZnO基非晶氧化物的微观结构 | 第18-19页 |
| ·ZnO基非晶氧化物半导体的导电机制 | 第19-20页 |
| ·典型非晶氧化物半导体的性质 | 第20-22页 |
| ·非晶氧化物半导体TFT的性能 | 第22-27页 |
| ·非晶氧化物TFT与a-Si:HTFT性能的比较 | 第22-26页 |
| ·TFT器件稳定性研究 | 第26-27页 |
| ·非晶氧化物异质结 | 第27-28页 |
| 第三章 实验原理及过程 | 第28-36页 |
| ·脉冲激光沉积技术 | 第28-32页 |
| ·脉冲激光沉积的原理 | 第28-29页 |
| ·脉冲激光沉积设备简介 | 第29-30页 |
| ·脉冲激光沉积制备薄膜的关键因素 | 第30-31页 |
| ·PLD制备SiZnSnO薄膜的实验过程 | 第31-32页 |
| ·表征方法 | 第32-36页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第32页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第32页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第32页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第32页 |
| ·紫外-可见光(UV-Vis)光谱测试 | 第32-33页 |
| ·椭圆偏振光谱仪(SE) | 第33页 |
| ·高分辨透射电镜(HR-TEM) | 第33页 |
| ·电学性能测试工作站(I-V) | 第33-34页 |
| ·TFT稳定性能测试工作站 | 第34-36页 |
| 第四章 SiZnSnO半导体薄膜的制备与性能研究 | 第36-52页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·SiZnSnO陶瓷靶材的制备 | 第37页 |
| ·不同氧分压对α-SiZnSnO薄膜的性能的影响 | 第37-38页 |
| ·不同Si含量对α-SiZnSnO薄膜的性能的影响 | 第38-43页 |
| ·退火对SiZnSnO薄膜的性能的影响 | 第43-49页 |
| ·本章小结 | 第49-52页 |
| 第五章 SiZnSnO在薄膜晶体管(TFT)中的应用 | 第52-62页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·TFT的制备 | 第52-54页 |
| ·不同Si含量的α-SiZnSnO对TFT性能的影响 | 第54页 |
| ·退火对TFT性能的影响 | 第54-57页 |
| ·α-SiZnSnO TFT稳定性的研究 | 第57-59页 |
| ·湿度对SiZnSnO TFT性能的影响 | 第57-58页 |
| ·氧气和湿度对SiZnSnO TFT性能的影响 | 第58-59页 |
| ·SiZnSnO TFT的时间稳定性 | 第59页 |
| ·本章小结 | 第59-62页 |
| 第六章 SiZnSnO/Si异质结能带结构的研究 | 第62-68页 |
| ·SiZnSnO/Si异质结的制备 | 第62页 |
| ·SiZnSnO/Si异质结的价带带阶测定 | 第62-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第七章 总结与展望 | 第68-70页 |
| ·总结 | 第68-69页 |
| ·展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 个人简历 | 第80-82页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第82页 |
