| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-19页 |
| ·研究背景及意义 | 第8-9页 |
| ·红外探测器的发展 | 第9-11页 |
| ·红外探测器的种类 | 第11-14页 |
| ·热探测器 | 第11-12页 |
| ·光子探测器 | 第12-14页 |
| ·红外探测器结构应力/应变分析 | 第14-17页 |
| ·国内外研究现状 | 第14-16页 |
| ·课题研究内容及方法 | 第16-17页 |
| ·论文的组织结构 | 第17-19页 |
| 第2章 红外焦平面探测器 | 第19-39页 |
| ·焦平面探测器工作原理 | 第19-21页 |
| ·焦平面阵列类型及互连方式 | 第21-25页 |
| ·焦平面阵列结构类型 | 第21-22页 |
| ·红外探测器阵列与读出电路的连接方式 | 第22-25页 |
| ·倒焊混成式 InSb 焦平面探测器设计 | 第25-38页 |
| ·InSb 光敏元芯片设计 | 第26-29页 |
| ·读出电路设计 | 第29-32页 |
| ·铟柱阵列生长工艺 | 第32-35页 |
| ·底充胶填充工艺 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第3章 红外焦平面探测器结构建模与材料参数选取 | 第39-53页 |
| ·有限元分析软件 ANSYS | 第39-41页 |
| ·探测器有限元仿真模型建立 | 第41-43页 |
| ·小面阵探测器模型建立 | 第41-42页 |
| ·等效大面阵探测器模型建立 | 第42-43页 |
| ·探测器材料参数选取 | 第43-51页 |
| ·铟柱粘塑性 Anand 本构描述 | 第44-45页 |
| ·底充胶材料模型选取 | 第45-47页 |
| ·InSb 芯片法线方向杨氏模量选取 | 第47-49页 |
| ·载荷施加及求解 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第4章 探测器结构应力/应变模拟结果与分析 | 第53-73页 |
| ·铟柱结构参数对结构应力及其分布的影响 | 第53-58页 |
| ·网格划分方式的选取 | 第53-57页 |
| ·模拟结果分析 | 第57-58页 |
| ·底充胶材料模型对结构应力及其分布的影响 | 第58-64页 |
| ·等效思想可行性验证 | 第64页 |
| ·128×128 大面阵 InSb 探测器法线方向力学参数选取研究 | 第64-68页 |
| ·热冲击下 InSb 面阵探测器 Z 方向形变原因研究 | 第68-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第5章 结论与展望 | 第73-75页 |
| ·结论 | 第73-74页 |
| ·展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第81页 |