| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-24页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·硅基薄膜太阳能电池 | 第12-15页 |
| ·硅基薄膜太阳能电池结构与工作原理 | 第12-13页 |
| ·非晶硅薄膜太阳能电池 | 第13页 |
| ·微晶硅薄膜太阳能电池 | 第13-14页 |
| ·多晶硅薄膜太阳能电池 | 第14页 |
| ·硅基薄膜太阳能电池的发展趋势 | 第14-15页 |
| ·微晶硅薄膜的组织结构与光学特性 | 第15-17页 |
| ·微晶硅薄膜的组织结构 | 第15-17页 |
| ·微晶硅薄膜的光学特性 | 第17页 |
| ·微晶硅薄膜的制备 | 第17-22页 |
| ·化学气相沉积 | 第18-20页 |
| ·磁控溅射沉积 | 第20-22页 |
| ·非晶硅薄膜后处理晶化工艺技术 | 第22页 |
| ·本文研究的目的及内容 | 第22-24页 |
| 第2章 实验方法 | 第24-29页 |
| ·硅薄膜样品的制备 | 第24-25页 |
| ·玻璃基片的清洗 | 第24页 |
| ·实验靶材 | 第24页 |
| ·实验设备及主要参数 | 第24-25页 |
| ·硅薄膜的表征方法 | 第25-29页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第25页 |
| ·拉曼光谱分析 | 第25-26页 |
| ·光学性能测试 | 第26页 |
| ·扫描电镜测试 | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜测试 | 第27页 |
| ·金相显微镜测试 | 第27页 |
| ·四探针测试 | 第27-29页 |
| 第3章 靶材结构对制备硅薄膜性能的影响 | 第29-37页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·靶材结构和电性能 | 第29-32页 |
| ·靶材相结构分析 | 第29-30页 |
| ·靶材金相显微分析 | 第30-31页 |
| ·靶材电性能分析 | 第31-32页 |
| ·靶材溅射特性 | 第32页 |
| ·靶材结构对硅薄膜性质的影响 | 第32-36页 |
| ·靶材结构对硅薄膜结晶性能的影响 | 第32-34页 |
| ·靶材结构对硅薄膜光学性质的影响 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 脉冲磁控溅射工艺参数对硅薄膜结构和性能的影响 | 第37-53页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·工艺参数对薄膜结晶性能的影响 | 第37-45页 |
| ·氢气分压的影响 | 第37-38页 |
| ·衬底温度的影响 | 第38-40页 |
| ·溅射功率的影响 | 第40-41页 |
| ·沉积时间的影响 | 第41-43页 |
| ·气流量的影响 | 第43-44页 |
| ·衬底材料的影响 | 第44-45页 |
| ·工艺参数对薄膜沉积速率的影响 | 第45-47页 |
| ·氢气分压的影响 | 第45-46页 |
| ·衬底温度的影响 | 第46页 |
| ·溅射功率的影响 | 第46-47页 |
| ·工艺参数对薄膜光学带隙的影响 | 第47-51页 |
| ·氢气分压的影响 | 第47-48页 |
| ·衬底温度的影响 | 第48-50页 |
| ·溅射功率的影响 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 硅薄膜诱导晶化 | 第53-67页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·中能离子束辅助沉积引入同质过渡层诱导硅薄膜晶化 | 第53-59页 |
| ·中能离子束辅助沉积工艺 | 第53-54页 |
| ·中能离子束辅助沉积引入同质过渡层对薄膜相结构影响 | 第54-56页 |
| ·中能离子束辅助沉积引入同质过渡层对薄膜表面形貌影响 | 第56-57页 |
| ·中能离子束辅助沉积诱导硅薄膜晶化机理分析 | 第57-59页 |
| ·金属铝诱导非晶硅薄膜晶化 | 第59-66页 |
| ·铝膜厚度对诱导非晶硅薄膜晶化的影响 | 第59-62页 |
| ·退火温度对诱导非晶硅薄膜晶化的影响 | 第62-64页 |
| ·退火时间对诱导非晶硅薄膜晶化的影响 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 附录 A 攻读硕士期间所发表的学术论文目录 | 第75页 |
