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基于RF CMOS工艺的低噪声放大器的研究与设计

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第一章 绪论第9-15页
   ·研究意义第9-10页
   ·研究现状第10-12页
   ·论文研究内容和所做的工作第12页
   ·论文内容安排第12-15页
第二章 RF CMOS 工艺中的射频器件第15-29页
   ·电阻第15-17页
   ·电容第17-23页
     ·MIM 电容第18-19页
     ·MOS 电容第19-20页
     ·pn 结电容第20页
     ·互连线电容第20-23页
   ·电感第23-28页
     ·片上螺旋电感第23-27页
     ·键合线电感第27-28页
   ·小结第28-29页
第三章 LNA 设计指标与拓扑结构分析第29-45页
   ·LNA 设计指标第29-37页
     ·噪声系数 NF第29-30页
     ·增益第30-31页
     ·线性度第31-37页
     ·输入阻抗匹配第37页
   ·LNA 的基本结构第37-43页
     ·电阻匹配共源结构第38-39页
     ·跨导匹配共栅结构第39-40页
     ·并联串联式反馈结构第40页
     ·电感源级负反馈结构第40-43页
   ·小结第43-45页
第四章 低噪声放大器的实现第45-61页
   ·参数指标要求第45-47页
   ·LNA 的设计思路第47页
   ·LNA 电路的设计第47-58页
     ·电路拓扑结构设计第47-50页
     ·噪声的优化设计第50-52页
     ·输入匹配电路设计第52-56页
     ·输出匹配电路设计第56-57页
     ·偏置电路设计第57-58页
   ·LNA 主体电路的实现第58-60页
   ·小结第60-61页
第五章 LNA 电路的仿真与测试第61-73页
   ·LNA 电路仿真原理图第61-62页
   ·LNA 仿真结果及分析第62-64页
     ·输入阻抗匹配仿真第62-63页
     ·线性度仿真第63-64页
     ·噪声仿真第64页
   ·低噪声放大器版图实现第64-70页
     ·射频集成电路版图的要求第64-65页
     ·版图的设计第65-67页
     ·版图的实现第67-70页
   ·低噪声放大器的测试第70-71页
   ·小结第71-73页
第六章 总结与展望第73-75页
致谢第75-77页
参考文献第77-80页

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