| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·非挥发性存储器件介绍 | 第11-14页 |
| ·纳米晶体浮栅存储器件的出现 | 第14-20页 |
| ·传统闪烁式存储器的发展与问题 | 第14-17页 |
| ·纳米晶体浮栅存储器件的提出 | 第17-20页 |
| ·本文结构及章节安排 | 第20-21页 |
| 第二章 纳米晶体浮栅存储器件的基础理论 | 第21-39页 |
| ·硅浮栅存储器件的工作机理 | 第21-31页 |
| ·硅浮栅存储器件基本结构和读出原理 | 第21-23页 |
| ·浮栅存储器件的阈值电压 | 第23-26页 |
| ·硅浮栅存储器件的电荷输运机理 | 第26-31页 |
| ·沟道热电子注入效应（CHI: Channel Hot Electron Injection） | 第26-28页 |
| ·FN（Fowler-Nordheim）电子遂穿注入 | 第28-30页 |
| ·直接遂穿效应 | 第30-31页 |
| ·硅浮栅存储器件的可靠性理论 | 第31-35页 |
| ·非挥发性存储器件的性能参数 | 第31-32页 |
| ·数据保持能力 | 第32-33页 |
| ·耐擦写能力 | 第33-35页 |
| ·硅纳米晶体浮栅存储器件的特性分析 | 第35-38页 |
| ·硅纳米晶体浮栅存储器件模型 | 第35-36页 |
| ·硅纳米晶体浮栅存储器件的工作机理 | 第36-38页 |
| ·本章内容小结 | 第38-39页 |
| 第三章 硅纳米晶体浮栅存储器件的仿真分析 | 第39-58页 |
| ·半导体仿真软件 TSUPREM4 和 MEDICI 介绍 | 第39-42页 |
| ·半导体工艺仿真软件 TSuprem4 介绍 | 第40页 |
| ·半导体器件仿真软件 Medici 介绍 | 第40-42页 |
| ·硅纳米晶体浮栅存储器件的工艺仿真和器件建模 | 第42-45页 |
| ·硅纳米晶体浮栅存储器件的特性仿真 | 第45-55页 |
| ·转移特性和输出特性研究 | 第45-46页 |
| ·不同编程方式的研究 | 第46-48页 |
| ·影响存储窗口的因素研究 | 第48-55页 |
| ·存储窗口与操作脉冲的关系 | 第49页 |
| ·存储窗口与存储器件结构参数的关系 | 第49-55页 |
| ·硅纳米晶体浮栅存储器件的数据保持能力模拟 | 第55-57页 |
| ·硅纳米晶体浮栅存储器件的数据保持能力理论 | 第55-56页 |
| ·硅纳米晶体浮栅存储器件的数据保持能力模拟 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 硅纳米晶体浮栅存储器件的试制 | 第58-64页 |
| ·硅纳米晶体的制备 | 第58-60页 |
| ·硅纳米晶体浮栅存储器件的试制工艺流程 | 第60-62页 |
| ·硅纳米晶体浮栅存储器件的试制种类 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 硅纳米晶体浮栅存储器件的测试分析 | 第64-72页 |
| ·硅纳米晶体分布的透射电镜分析 | 第64-65页 |
| ·硅纳米晶体浮栅存储器件的存储特性测试分析 | 第65-68页 |
| ·硅纳米晶体浮栅存储器件的可靠性测试分析 | 第68-71页 |
| ·硅纳米晶体浮栅存储器件的耐擦写能力测试 | 第68-70页 |
| ·硅纳米晶体浮栅存储器件的数据保持能力测试 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 总结 | 第72-74页 |
| ·全文总结 | 第72页 |
| ·后续工作 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第78-79页 |
