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石墨烯纳米带电子结构的第一性原理研究

摘要第1-4页
Abstract第4-8页
第一章 绪论第8-22页
   ·引言第8-9页
   ·石墨烯的研究概况第9-14页
     ·石墨烯的空间几何结构与电子结构第9-11页
     ·石墨烯的常用制备方法第11-14页
     ·能隙的引入与调制第14页
   ·石墨烯纳米带的研究概况第14-19页
     ·石墨烯纳米带的结构与性质第18-19页
     ·石墨烯纳米带的应用前景第19页
   ·本文的研究目的和结构安排第19-22页
第二章 理论方法第22-32页
   ·引言第22页
   ·多粒子体系的第一性原理分析第22-23页
   ·绝热近似和 Hartree-Fock 近似第23-25页
     ·绝热近似第23-24页
     ·单电子近似第24页
     ·Hartree-Fock 近似第24-25页
   ·密度泛函理论基础第25-28页
     ·Thomas-Fermi-Dirac 近似第25-26页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第26-27页
     ·KS 方程第27-28页
   ·交换关联能的确定第28-29页
     ·局域密度近似第28-29页
     ·广义梯度近似第29页
   ·基组第29-30页
   ·赝势方法第30-32页
第三章 石墨烯纳米带电子结构的调控第32-46页
   ·引言第32页
   ·计算程序 CASTEP 简介第32-35页
     ·超原胞处理方法第33-34页
     ·平面波基组的选取第34-35页
     ·赝势的选取第35页
   ·带宽对扶手椅型石墨烯纳米带电子结构的影响第35-39页
     ·计算模型与方法第36页
     ·计算结果与分析讨论第36-39页
   ·带宽对锯齿型石墨烯纳米带电子结构的影响第39-42页
     ·计算模型与方法第39页
     ·计算结果与分析讨论第39-42页
   ·扶手椅型 BN 纳米带限制 AGNRs 的电子结构第42-46页
     ·受 ABNNRs 限制的 AGNRs[96]第42-43页
     ·A-CNcc(BN)Nbn与 H 饱和 AGNR第43-46页
第四章 边缘空位缺陷对石墨烯纳米带电子结构的影响第46-50页
   ·引言第46页
   ·边缘空位缺陷对扶手椅型石墨烯纳米带电子结构的影响第46-48页
     ·计算模型与方法第46页
     ·计算结果与分析讨论第46-48页
   ·边缘空位缺陷对锯齿型石墨烯纳米带电子结构的影响第48-50页
     ·计算模型与方法第48页
     ·计算结果与分析讨论第48-50页
第五章 总结及展望第50-52页
致谢第52-54页
参考文献第54-59页

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