单晶硅衬底上制备钛酸锶薄膜及其择优取向研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| ·单晶Si半导体 | 第10-11页 |
| ·STO功能薄膜 | 第11-17页 |
| ·STO简介 | 第11-12页 |
| ·约瑟夫森结 | 第12-14页 |
| ·栅介质 | 第14-16页 |
| ·STO薄膜的主要应用 | 第16-17页 |
| ·STO薄膜的制备方法 | 第17-18页 |
| ·Si衬底上制备STO薄膜 | 第18-19页 |
| ·研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 实验方法及表征手段 | 第20-28页 |
| ·实验方法 | 第20-22页 |
| ·液相沉积法 | 第20-21页 |
| ·射频磁控溅射 | 第21-22页 |
| ·Si衬底的选取原则 | 第22-23页 |
| ·表征手段 | 第23-28页 |
| ·X射线衍射谱 | 第23-25页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
| ·X射线能量色散谱 | 第26-28页 |
| 第3章 液相沉积法制备STO薄膜 | 第28-44页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·实验过程 | 第28-31页 |
| ·衬底的处理 | 第28-29页 |
| ·实验药品的选择 | 第29-30页 |
| ·前驱溶液的配制 | 第30页 |
| ·薄膜样品的制备 | 第30-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-42页 |
| ·退火温度的影响 | 第31-32页 |
| ·退火气氛的影响 | 第32-33页 |
| ·衬底放置方式的影响 | 第33-38页 |
| ·亲水处理的影响 | 第38-39页 |
| ·沉积温度的影响 | 第39-41页 |
| ·硼酸注入速率的影响 | 第41-42页 |
| ·本章结论 | 第42-44页 |
| 第4章 射频磁控溅射法制备STO薄膜 | 第44-62页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·实验部分 | 第44-46页 |
| ·实验设备 | 第44-45页 |
| ·衬底处理 | 第45-46页 |
| ·样品制备 | 第46页 |
| ·结果与讨论 | 第46-60页 |
| ·退火温度的影响 | 第47-50页 |
| ·退火时间的影响 | 第50-52页 |
| ·溅射功率的影响 | 第52-54页 |
| ·作气压的影响 | 第54-55页 |
| ·衬底温度的影响 | 第55-60页 |
| ·本章结论 | 第60-62页 |
| 第5章 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
