| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 符号表 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-20页 |
| ·Ⅲ族氮化物的研究发展 | 第13-16页 |
| ·InGaN/GaN多量子阱发光机制的研究进展 | 第16-19页 |
| ·本论文的工作及主要内容 | 第19-20页 |
| 第二章 半导体发光特性的测量 | 第20-28页 |
| ·半导体发光的基础理论 | 第20-24页 |
| ·光致发光 | 第24-26页 |
| ·光致发光测量装置及原理 | 第24-26页 |
| ·光致发光在半导体研究中的应用 | 第26页 |
| ·电致发光 | 第26-28页 |
| 第三章 材料的MOCVD生长 | 第28-34页 |
| ·MOCVD简介 | 第28-29页 |
| ·衬底的选择 | 第29-31页 |
| ·外延生长的基本模式 | 第31-34页 |
| 第四章 InGaN/GaN多量子阱光致发光特性的分析 | 第34-49页 |
| ·样品的制备 | 第34-35页 |
| ·InGaN/GaN多量子阱光致发光的激发功率依赖性 | 第35-38页 |
| ·压电效应对发光特性的影响 | 第35-36页 |
| ·内量子效率的激发功率依赖性 | 第36-38页 |
| ·局域态对发光特性的影响 | 第38-41页 |
| ·两种不同生长速率量子阱的局域态对比 | 第41-44页 |
| ·深能级发光的分析 | 第44-49页 |
| 第五章 InGaN/GaN多量子阱LED电致发光特性的分析 | 第49-56页 |
| ·LED的结构 | 第49页 |
| ·I-V特性曲线 | 第49-51页 |
| ·电致发光特性 | 第51-56页 |
| ·电致发光的激发电流依赖性 | 第51-52页 |
| ·电致发光的温度依赖性 | 第52-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第68-69页 |
| 附录 | 第69-70页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第70页 |
