氮化硅薄膜及多层膜的光性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 氮化硅薄膜的光致发光 | 第9-20页 |
| ·氮化硅的研究进展 | 第9页 |
| ·氮化硅的光致发光机制 | 第9-17页 |
| ·量子限制效应模型 | 第10-12页 |
| ·量子限制-发光中心模型 | 第12-13页 |
| ·表面态和钝化 | 第13页 |
| ·能隙态模型 | 第13-15页 |
| ·量子限制效应和缺陷态的共同作用 | 第15-16页 |
| ·包埋于氮化硅中的Si团簇 | 第16页 |
| ·带尾态模型 | 第16-17页 |
| ·论文选题意义及研究内容 | 第17-20页 |
| 第二章 薄膜技术 | 第20-42页 |
| ·薄膜生长过程 | 第20-22页 |
| ·沉积过程的分类 | 第22-29页 |
| ·物理气相沉积过程 | 第23-28页 |
| ·化学气相沉积过程 | 第28-29页 |
| ·磁控溅射镀膜 | 第29-34页 |
| ·磁控溅射镀膜的原理 | 第29-31页 |
| ·磁控溅射系统的组成 | 第31-33页 |
| ·磁控溅射中的真空系统 | 第33-34页 |
| ·薄膜材料的表征 | 第34-42页 |
| ·光致发光(PL) | 第36-37页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第37-38页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第38-39页 |
| ·傅里叶变换红外吸收谱(FTIR) | 第39-42页 |
| 第三章 SiNx的光致发光研究 | 第42-54页 |
| ·SiNx样品的制备 | 第42-43页 |
| ·SiNx样品的分析 | 第43-50页 |
| ·PL分析 | 第43-45页 |
| ·SEM分析 | 第45-46页 |
| ·XPS分析 | 第46-49页 |
| ·FTIR分析 | 第49-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-52页 |
| ·小结 | 第52-54页 |
| 第四章 Si/SiNx超晶格能带结构 | 第54-68页 |
| ·简介 | 第54-57页 |
| ·能带理论 | 第54-55页 |
| ·超晶格 | 第55-57页 |
| ·Si/SiNx超晶格系统 | 第57-61页 |
| ·建立Si/SiNx超晶格模型 | 第57-58页 |
| ·计算Si/SiNx超晶格模型 | 第58-61页 |
| ·Si/SiNx超晶格能带分析 | 第61-67页 |
| ·膜厚对能带的影响 | 第61-64页 |
| ·有效质量与膜厚的关系 | 第64-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 在校期间的科研成果 | 第77页 |
