| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·激光烧蚀及其应用 | 第7-9页 |
| ·半导体Ge等离子体特性的研究意义及研究进展 | 第9-10页 |
| ·研究内容 | 第10-12页 |
| 第二章 激光等离子体特性概述 | 第12-20页 |
| ·等离子体 | 第12页 |
| ·论文的研究方法 | 第12-13页 |
| ·等离子体辐射机制 | 第13-14页 |
| ·谱线展宽机制 | 第14-15页 |
| ·等离子体电子温度 | 第15-17页 |
| ·等离子体电子密度 | 第17-19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 大气环境下Ge等离子体特性 | 第20-38页 |
| ·实验装置和方法 | 第20-22页 |
| ·Ge等离子体发射光谱的时空演化 | 第22-31页 |
| ·等离子体电子密度 | 第31-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 真空环境下Ge等离子体特性 | 第38-51页 |
| ·实验装置和方法 | 第38-39页 |
| ·Ge等离子体发射谱的时空演化 | 第39-46页 |
| ·电子温度和密度的时间演化 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 发表文章 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |