| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·垂直腔面发射激光器特点 | 第7-8页 |
| ·垂直腔面发射激光器应用 | 第8-10页 |
| ·垂直腔面发射激光器的发展历史 | 第10-11页 |
| ·垂直腔面发射激光器结构原理 | 第11-12页 |
| ·本论文研究工作的目的和内容 | 第12-14页 |
| 第二章 新辐射桥结构VCSEL设计原理 | 第14-20页 |
| ·辐射桥结构设计理论 | 第14-16页 |
| ·阈值特性 | 第16-18页 |
| ·DBR反射率 | 第18-19页 |
| ·小结 | 第19-20页 |
| 第三章 新辐射桥结构VCSEL工艺及制作 | 第20-35页 |
| ·新辐射桥结构VCSEL外延生长 | 第20-25页 |
| ·外延片的刻蚀工艺 | 第25-27页 |
| ·ALAS氧化工艺 | 第27-31页 |
| ·欧姆接触电阻工艺 | 第31-32页 |
| ·新辐射桥结构VCSEL的制作 | 第32-35页 |
| 第四章 实验结果与分析 | 第35-43页 |
| ·器件电学性能测试 | 第35-36页 |
| ·器件光学特性的测量 | 第36页 |
| ·器件光束特性 | 第36-38页 |
| ·器件温度特性 | 第38-40页 |
| ·新型辐射桥结构与传统结构的器件特性对比 | 第40-43页 |
| 第五章 总结 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |