| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·研究背景 | 第9-13页 |
| ·InN 的研究现状 | 第13-16页 |
| ·金属衬底外延InN 的可行性 | 第16-17页 |
| ·主要研究内容 | 第17-18页 |
| 2 反射高能电子衍射仪的调试 | 第18-30页 |
| ·RHEED 的原理与应用 | 第18-22页 |
| ·RHEED 的结构组成 | 第22-23页 |
| ·RHEED 的调试 | 第23-29页 |
| ·本章小节 | 第29-30页 |
| 3 Cu 外延薄膜的制备 | 第30-51页 |
| ·前言 | 第30页 |
| ·Cu(100)在Si(100)衬底上的外延生长 | 第30-44页 |
| ·Cu(111)在Mica(001)衬底上的外延生长 | 第44-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 4 InN 薄膜的制备与表征 | 第51-70页 |
| ·前言 | 第51页 |
| ·真空蒸发反应法生长InN | 第51-56页 |
| ·钨丝催化蒸发反应法生长InN | 第56-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 5 全文总结 | 第70-72页 |
| ·主要研究结果 | 第70-71页 |
| ·展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |