| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9-13页 |
| ·光伏发展的现状 | 第9-10页 |
| ·晶体硅太阳电池组件存在的问题 | 第10-12页 |
| ·缺陷组件的危害与预防 | 第12-13页 |
| ·漏电检测与修复的研究进展 | 第13-15页 |
| ·课题研究的内容和创新点 | 第15-16页 |
| ·本文结构 | 第16-17页 |
| 第二章 晶体硅太阳电池与旁路结的原理基础 | 第17-27页 |
| ·晶体硅太阳电池的理论模型 | 第17-22页 |
| ·晶体硅太阳电池的工作原理 | 第17页 |
| ·晶体硅太阳电池的电性能参数的表征 | 第17-19页 |
| ·晶体硅太阳电池模型中的未知参数的提取 | 第19-22页 |
| ·晶体硅太阳电池的旁路结分析 | 第22-26页 |
| ·晶体硅太阳电池的常规工艺与旁路结的形成 | 第22-24页 |
| ·旁路结对电池性能参数的影响 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 晶体硅太阳电池漏电的检测 | 第27-38页 |
| ·漏电检测系统简介 | 第27-28页 |
| ·漏电检测的方法 | 第28-30页 |
| ·I-V 特性测试 | 第28-29页 |
| ·红外热成像确定漏电区域 | 第29页 |
| ·金相显微镜初步判断漏电的成因 | 第29-30页 |
| ·SEM 和 EDS 表征 | 第30页 |
| ·漏电检测的结果分析 | 第30-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 晶体硅太阳电池的漏电修复 | 第38-55页 |
| ·激光刻槽隔离晶体硅太阳电池的简介 | 第38页 |
| ·激光划片对电池性能参数的影响 | 第38-40页 |
| ·激光刻槽工艺参数的优化 | 第40-46页 |
| ·激光刻槽工艺优化的原理 | 第41-44页 |
| ·激光刻槽的实验结果 | 第44-46页 |
| ·激光批量化修复电池的实验 | 第46-53页 |
| ·激光打标技术的介绍 | 第46-47页 |
| ·激光批量化修复电池漏电区域的实验及结果 | 第47-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 PID（Potential Induced Degradation）的研究 | 第55-65页 |
| ·PID 效应的研究进展 | 第55-57页 |
| ·常规组件 PID 效应的实验室模拟 | 第57-61页 |
| ·抗 PID 效应组件的研发 | 第61-63页 |
| ·抗 PID 效应组件的理论分析 | 第61-62页 |
| ·抗 PID 效应组件的制作过程 | 第62-63页 |
| ·抗 PID 效应组件的测试及分析 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 致谢 | 第70页 |