| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-29页 |
| 1．1 电力电子技术简介 | 第12-14页 |
| 1．2 智能功率集成电路（SPIC） | 第14-16页 |
| 1．3 智能功率集成电路的发展 | 第16-19页 |
| 1．4 智能功率集成电路的主要技术 | 第19-25页 |
| 1．4．1 隔离技术 | 第19-22页 |
| 1．4．2 SPIC中的功率器件 | 第22-25页 |
| 1．5 SPIC的展望 | 第25页 |
| 1．6 SPIC存在的问题和本文的主要工作 | 第25-29页 |
| 1．6．1 研究的基础和主要工作 | 第26-29页 |
| 第二章 基本功率变换技术 | 第29-41页 |
| 2．1 整流电路 | 第29-30页 |
| 2．2 基本的DC-DC变换 | 第30-32页 |
| 2．2．1 Buck变换电路 | 第30-31页 |
| 2．2．2 Boost变换电路 | 第31-32页 |
| 2．3 基本的逆变电路 | 第32-33页 |
| 2．4 脉宽调制（PWM）技术 | 第33-35页 |
| 2．4．1 PWM的基本原理 | 第33-35页 |
| 2．4．2 PWM控制电路 | 第35页 |
| 2．5 功率变换的常用开关器件 | 第35-36页 |
| 2．6 功率变换的发展 | 第36-38页 |
| 2．7 功率变换的模拟 | 第38页 |
| 2．8 应用电路举例 | 第38-40页 |
| 2．9 小结 | 第40-41页 |
| 第三章 SPIC中的横向功率器件 | 第41-58页 |
| 3．1 横向器件的发展 | 第41-46页 |
| 3．1．1 RESURF技术 | 第41-42页 |
| 3．1．2 横向MOS器件的发展 | 第42-46页 |
| 3．2 新结构横向器件 | 第46-48页 |
| 3．2．1 优化横向变掺杂技术 | 第46-48页 |
| 3．3 LDMOS的模拟（SIMULATION） | 第48-52页 |
| 3．3．1 MEDICI简介 | 第49-51页 |
| 3．2．2 LDMOS模拟 | 第51-52页 |
| 3．4 OPTVLD LDMOS的栅输入特性分析 | 第52-57页 |
| 3．4．1 采用OPVLD制造的LDMOS的栅电容 | 第53-54页 |
| 3．4．2 OPVLD—LDMOS的栅电荷 | 第54-57页 |
| 3．5 小结 | 第57-58页 |
| 第四章 SPIC中的保护电路设计 | 第58-75页 |
| 4．1 SPIC中的保护电路 | 第58-60页 |
| 4．1．1 常用的保护电路 | 第58-60页 |
| 4．2 一种新型的高压电压探测技术 | 第60-68页 |
| 4．2．1 场限环的基本发展 | 第60-61页 |
| 4．2．2 场限环的分压原理 | 第61-64页 |
| 4．2．3 可集成在SPIC中的高压电压探测器 | 第64-65页 |
| 4．2．4 高压电压探测器的模拟 | 第65-68页 |
| 4．3 可集成的高压过压保护电路设计举例 | 第68-74页 |
| 4．3．1 具有BOOST控制信号的SPIC的过压保护设计 | 第69-70页 |
| 4．3．2 总线信号的探测设计 | 第70-71页 |
| 4．3．3 探测信号的处理电路 | 第71-74页 |
| 4．4 小结 | 第74-75页 |
| 第五章 高压电压探测器的优化 | 第75-87页 |
| 5．1 界面电荷对场限环的影响 | 第75-78页 |
| 5．1．1 界面电荷电荷密度很小的情况 | 第75-76页 |
| 5．1．2 界面电荷电荷密度较大的情况 | 第76-78页 |
| 5．2 辅助结构的优化 | 第78-80页 |
| 5．2．1 等位环对场限环系统的优化 | 第78页 |
| 5．2．2 采用场板与场限环复合结构的优化 | 第78-80页 |
| 5．3 采用离子注入来调节表面浓度 | 第80-81页 |
| 5．4 采用其它结构实现的电压探测技术 | 第81-86页 |
| 5．4．1 采用SIPOS技术的电压探测器 | 第81-83页 |
| 5．4．2 不同电场分布的电压探测器 | 第83-86页 |
| 5．5 小结 | 第86-87页 |
| 第六章 简易的APFC电路设计 | 第87-106页 |
| 6．1 APFC电路的意义 | 第88-89页 |
| 6．2 无源PFC电路 | 第89-93页 |
| 6．2．1 在桥式整流之后的LC滤波电路 | 第89-90页 |
| 6．2．2 逐流电路 | 第90-91页 |
| 6．2．3 电路实验 | 第91-93页 |
| 6．3 有源功率因数校正 | 第93-99页 |
| 6．3．1 电压跟随器PFC的基本原理 | 第93-96页 |
| 6．3．2 BOOST电压跟随器PFC | 第96-98页 |
| 6．3．3 临界条件 | 第98页 |
| 6．3．4 简易的有源功率因数校正电路 | 第98-99页 |
| 6．4 一种新型的简易APFC电路 | 第99-105页 |
| 6．4．1 新型简易APFC电路 | 第100-101页 |
| 6．4．2 窄脉冲产生电路及模拟 | 第101-103页 |
| 6．4．3 具有新型简易APFC电路及过压保护电路的设计 | 第103-105页 |
| 6．5 小结 | 第105-106页 |
| 第七章 具有埋层结构的LDMOS | 第106-126页 |
| 7．1 具有埋层结构的LDMOS | 第106-108页 |
| 7．1．1 具有埋层LDMOS（B-LDMOS）的基本结构 | 第106-107页 |
| 7．1．2 B-LDMOS简单理论分析 | 第107-108页 |
| 7．2 B-LDMOS的模拟分析 | 第108-116页 |
| 7．2．1 N-LDMOS与B-LDMOS的击穿分析 | 第108-112页 |
| 7．2．2 N-LDMOS与B-LDMOS的电场分析 | 第112-116页 |
| 7．3 B-LDMOS开关特性模拟分析 | 第116-119页 |
| 7．3．1 B-LDMOS开关特性模拟分析 | 第116-117页 |
| 7．3．2 B-LDMOS埋层对开关特性的影响的解释 | 第117-118页 |
| 7．3．3 B-LDMOS埋层对连续开关特性的影响 | 第118-119页 |
| 7．4 B-LDMOS其它重要参数的模拟分析 | 第119-121页 |
| 7．5 B-LDMOS埋层参数与击穿电压的关系 | 第121-124页 |
| 7．5．1 B-LDMOS的埋层到表面的距离与击穿电压的关系 | 第121-122页 |
| 7．5．2 B-LDMOS的埋层宽度与击穿电压的关系 | 第122页 |
| 7．5．3 B-LDMOS的埋层剂量与击穿电压的关系 | 第122-123页 |
| 7．5．4 B-LDMOS耗尽区内的二维电场分布图 | 第123-124页 |
| 7．6 小结 | 第124-126页 |
| 结束语 | 第126-128页 |
| 附录A 缩略语表 | 第128-130页 |
| 致谢 | 第130-131页 |
| 参考文献 | 第131-136页 |
| 个人简历 | 第136-137页 |
| 作者在攻读博士学位期间所发表和录用的文章 | 第137页 |
