| 致谢 | 第1-5页 |
| 发表论文目录 | 第5-7页 |
| 中文摘要 | 第7-9页 |
| 英文摘要 | 第9-14页 |
| 前言 | 第14-16页 |
| 第一章 文献综述-PbTiO_3系铁电薄膜及薄膜热释电探测器 | 第16-35页 |
| 1．1 引言 | 第16页 |
| 1．2 铁电体的热释电效应 | 第16-19页 |
| 1．3 PbTiO_3系薄膜的制备及性能 | 第19-25页 |
| 1．4 MgO过渡层 | 第25-26页 |
| 1．5 铁电薄膜红外探测器 | 第26-30页 |
| 1．6 本论文工作 | 第30-31页 |
| 本章参考文献 | 第31-35页 |
| 第二章 Sol-Gel法制备MgO薄膜及其结构表征 | 第35-43页 |
| 2．1 引言 | 第35-36页 |
| 2．2 以无机盐硝酸镁为原料制备MgO薄膜 | 第36-37页 |
| 2．3 MgO薄膜的结构 | 第37-41页 |
| 2．4 本章小节 | 第41-42页 |
| 本章参考文献 | 第42-43页 |
| 第三章 （100）取向MgO薄膜的生长及PLCT/MgO/Si薄膜的性能研究 | 第43-55页 |
| 3．1 引言 | 第43页 |
| 3．2 （100）取向MgO薄膜的生长 | 第43-45页 |
| 3．3 MgO薄膜的结构 | 第45-48页 |
| 3．4 Au/PLCT/MgO/Si薄膜的结构与电学性能 | 第48-53页 |
| 3．5 本章小节 | 第53-54页 |
| 本章参考文献 | 第54-55页 |
| 第四章 （100）取向富锆PZT铁电薄膜的制备及性能研究 | 第55-68页 |
| 4．1 引言 | 第55-56页 |
| 4．2 （100）取向富锆PZT薄膜的制备 | 第56-57页 |
| 4．3 PZT薄膜的结构分析 | 第57-63页 |
| 4．4 PZT薄膜的电学性能 | 第63-65页 |
| 4．5 本章小节 | 第65-66页 |
| 本章参考文献 | 第66-68页 |
| 第五章 （100）取向PLCT薄膜的制备及其物理性能的研究 | 第68-88页 |
| 5．1 引言 | 第68页 |
| 5．2 （100）取向PLCT薄膜的制备 | 第68-72页 |
| 5．3 薄膜厚度与取向的关系 | 第72-73页 |
| 5．4 薄膜织构与电学性能的关系 | 第73-80页 |
| 5．5 退火时间对薄膜结构和电学性能的影响 | 第80-85页 |
| 5．6 本章小节 | 第85-86页 |
| 本章参考文献 | 第86-88页 |
| 第六章 PLCT薄膜的热释电性能与红外探测器的试制 | 第88-100页 |
| 6．1 引言 | 第88-89页 |
| 6．2 热释电系数的测定 | 第89-96页 |
| 6．3 热释电红外单元器件的试制 | 第96-98页 |
| 6．4 本章小节 | 第98-99页 |
| 本章参考文献 | 第99-100页 |
| 第七章 总结 | 第100-102页 |
| 简历 | 第102页 |
