| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| ·课题的研究背景及意义 | 第9-11页 |
| ·国内外研究状况 | 第11-13页 |
| ·本文的主要研究内容及章节安排 | 第13-15页 |
| 2 缺陷表征技术及超薄膜样品的制备 | 第15-35页 |
| ·缺陷电学特性测试技术 | 第15-17页 |
| ·缺陷结构表征技术 | 第17-29页 |
| ·表面、界面分析技术 | 第17-20页 |
| ·X射线光电子谱 | 第20-29页 |
| ·薄膜样品制备技术 | 第29页 |
| ·化学刻蚀法制备超薄膜样品 | 第29-34页 |
| ·晶片预处理工艺 | 第29-30页 |
| ·HF酸刻蚀氧化膜速度的测试 | 第30-31页 |
| ·超薄氧化膜样品的制备 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 3 SiO_2/4H-SiC(0001)界面组成的XPS分析 | 第35-46页 |
| ·实验设备与测试样品 | 第35-36页 |
| ·数据处理关键参数 | 第36-38页 |
| ·SiO_2/SiC界面化学组成分析 | 第38-43页 |
| ·SiO_2╱SiC界面成分理论 | 第39-40页 |
| ·标准物对照法 | 第40-41页 |
| ·SiO_2╱SiC界面化学组成 | 第41-43页 |
| ·样品处理工艺对界面缺陷含量的影响 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 4 SiO_2/SiC界面过渡区成分深度分布的ADXPS研究 | 第46-62页 |
| ·ADXPS技术与应用 | 第46-47页 |
| ·实验设备与测试样品 | 第47-48页 |
| ·测试结果与分析 | 第48-60页 |
| ·原子浓度(Atomic Concentration)分析 | 第50-53页 |
| ·过渡区成分分布研究 | 第53-56页 |
| ·过渡区厚度的定量计算 | 第56-60页 |
| ·过渡区成分含量对界面态的影响 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 5 SiO_2/SiC界面缺陷微观结构研究 | 第62-67页 |
| ·模型化技术 | 第62-64页 |
| ·SiO_2╱SiC界面微观结构模型 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
