冶金多晶硅的电学性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| ·立题背景 | 第9-10页 |
| ·国内外太阳能电池产业及多晶硅材料的发展现状 | 第10-15页 |
| ·铸造多晶硅的性能研究进展 | 第15-18页 |
| ·杂质对电学性能的影响 | 第18-21页 |
| ·氧、碳杂质对电学性能的影响 | 第18-19页 |
| ·金属杂质对电学性能的影响 | 第19-20页 |
| ·提炼过程中硅的性能 | 第20-21页 |
| ·改善铸造多晶硅电学性能的研究 | 第21页 |
| ·本论文的研究目的和研究内容 | 第21-23页 |
| 2 实验原理及实验设备 | 第23-29页 |
| ·半导体电阻率测试原理 | 第23-25页 |
| ·电阻率的计算原理 | 第25-27页 |
| ·实验主要设备及型号 | 第27-29页 |
| 3 多晶硅密度与电学性能的关系 | 第29-33页 |
| ·概论 | 第29页 |
| ·实验材料和实验方法 | 第29-30页 |
| ·实验结果及讨论 | 第30-32页 |
| ·金相组织 | 第30-31页 |
| ·成分、密度与电阻率的比较 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 4 组织状态对多晶硅电学性能的影响 | 第33-43页 |
| ·概述 | 第33页 |
| ·实验材料与实验方法 | 第33-35页 |
| ·实验结果与分析 | 第35-41页 |
| ·组织状态对3N-4N多晶硅电阻率的影响 | 第35-40页 |
| ·组织状态对2N多晶硅电阻率的影响 | 第40-41页 |
| ·组织状态对6N多晶硅电阻率的影响 | 第41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 5 金属杂质对多晶硅电学性能的影响 | 第43-80页 |
| ·概述 | 第43页 |
| ·实验方法和实验材料 | 第43-46页 |
| ·低于固溶度的金属杂质含量对电阻率的影响 | 第43-44页 |
| ·扩散浓度对多晶硅电学性能的影响 | 第44页 |
| ·扩散时间及扩散温度对多晶硅电学性能的影响 | 第44-46页 |
| ·实验结果和讨论 | 第46-79页 |
| ·铁、钴、镍对多晶硅电阻率的影响 | 第46-67页 |
| ·铜和锰对多晶硅电学性能的影响 | 第67-75页 |
| ·铝对多晶硅电学性能的影响概述 | 第75-78页 |
| ·六种金属杂质性能与提纯的联系 | 第78-79页 |
| ·结论 | 第79-80页 |
| 6 其它—热处理预备实验 | 第80-83页 |
| ·实验材料和实验方法 | 第80页 |
| ·实验结果和讨论 | 第80-82页 |
| ·氧化膜对多晶硅电阻率的影响 | 第80-81页 |
| ·热处理对多晶硅电阻率的影响 | 第81-82页 |
| ·本章小结 | 第82-83页 |
| 结论 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第88-89页 |
| 致谢 | 第89-91页 |
