| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-38页 |
| 1 前言 | 第10页 |
| 2 熔融状态下嵌段共聚物的自组装研究 | 第10-22页 |
| ·嵌段共聚物在本体中的自组装结构 | 第11-13页 |
| ·嵌段共聚物在受限状态下的自组装研究 | 第13-22页 |
| 3 计算机模拟研究的理论与方法 | 第22-31页 |
| ·Monte Carlo方法 | 第23-27页 |
| ·自洽场理论(Self-Consistent Field Theory,SCFT) | 第27-31页 |
| 4 本论文研究的主要内容和意义 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-38页 |
| 第二章 层状对称二嵌段共聚物在纳米孔内的自组装结构 | 第38-48页 |
| 1 前言 | 第38-39页 |
| 2 理论和方法 | 第39-40页 |
| ·格子模型与Metropolis抽样方法 | 第39-40页 |
| ·体系参数设置 | 第40页 |
| 3 结果与讨论 | 第40-46页 |
| ·孔径D=16 | 第40-42页 |
| ·孔径D=22 | 第42-44页 |
| ·孔径D=26 | 第44-45页 |
| ·周期性边界条件的影响 | 第45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第三章 柱状二嵌段共聚物受限在纳米孔内的自组装结构 | 第48-68页 |
| 1 前言 | 第48-49页 |
| 2 理论和方法 | 第49-51页 |
| ·实空间自洽场模型 | 第49-50页 |
| ·体系模型和参数设置 | 第50-51页 |
| 3 结果与讨论 | 第51-59页 |
| ·体系在亲A表面场作用下的自组装情况 | 第51-56页 |
| ·体系在亲B表面场作用下的自组装情况 | 第56-57页 |
| ·体系在中性孔壁内的自组装情况 | 第57-58页 |
| ·与实验研究结果的比较 | 第58-59页 |
| ·结论 | 第59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 附录 | 第61-68页 |
| 第四章 嵌段共聚物受限在三维球壳内自组装的相行为 | 第68-82页 |
| 1 前言 | 第68-69页 |
| 2 理论和方法 | 第69-70页 |
| ·实空间自洽场理论 | 第69页 |
| ·体系模型和参数设置 | 第69-70页 |
| 3 结果与讨论 | 第70-79页 |
| ·弱相分离体系(f_A=0.36,x~N=14) | 第70-73页 |
| ·强相分离体系(f_A=0.2,x~N=40) | 第73-77页 |
| ·中度相分离体系(f_A=0.25,x~N=25) | 第77-79页 |
| ·结论 | 第79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第五章 柱状三嵌段共聚物受限在平行板间的自组装结构 | 第82-103页 |
| 1 前言 | 第82-83页 |
| 2 理论和方法 | 第83-87页 |
| ·消除周期性边界条件的影响 | 第83页 |
| ·模拟退火过程 | 第83-84页 |
| ·体系模型和参数设置 | 第84页 |
| ·自组装结构性质表征 | 第84-87页 |
| 3 结果与讨论 | 第87-100页 |
| ·判定模拟体系的尺寸 | 第87页 |
| ·比较A_(13)B_2C_3与A_(15)C_3体系 | 第87-90页 |
| ·薄膜表面呈中性条件下的情况 | 第90-93页 |
| ·薄膜表面吸引A嵌段组分条件下的情况 | 第93-95页 |
| ·薄膜表面吸引B嵌段组分条件下的情况 | 第95-96页 |
| ·薄膜表面吸引C嵌段组分条件下的情况 | 第96-99页 |
| ·结论 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-103页 |
| 第六章 柱状三嵌段共聚物受限在纳米孔内的自组装结构 | 第103-118页 |
| 1 前言 | 第103页 |
| 2 理论和方法 | 第103-106页 |
| ·格子模型和模拟退火算法 | 第103-104页 |
| ·体系参数设置 | 第104页 |
| ·表面密度分布和链转动方向 | 第104-105页 |
| ·命名自组装结构 | 第105-106页 |
| 3 结果与讨论 | 第106-115页 |
| ·计算聚合物的重复周期 | 第106页 |
| ·孔壁呈中性(neutral) | 第106-110页 |
| ·孔壁吸引A嵌段(A-attractive) | 第110-111页 |
| ·孔壁吸引B嵌段(B-attractive) | 第111-112页 |
| ·孔壁吸引C嵌段(C-attractive) | 第112-113页 |
| ·孔壁同时吸引B、C嵌段(B/C-attractive) | 第113页 |
| ·孔壁同时吸引A、C嵌段(A/C-attractive) | 第113-114页 |
| ·结论 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-118页 |
| 致谢 | 第118-119页 |
| 攻读学位期间的论文情况 | 第119页 |
