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SnSe及Cu2O半导体薄膜材料的电化学制备及其组成形貌分析

摘要第1-7页
Abstract第7-11页
第一章 综述第11-35页
 前言第11页
   ·光电半导体材料的研究现状第11-13页
   ·半导体材料制备方法第13-17页
   ·原子层外延第17-20页
   ·硅片上的电化学反应第20-22页
   ·导电玻璃基底上的电化学反应第22-23页
   ·材料现代分析方法第23-27页
   ·本论文的选题思路与研究目的第27-28页
 参考文献第28-35页
第二章 SnSe光子晶体在金片电极上的电化学原子层外延生长与表面分析第35-47页
 前言第35页
   ·实验部分第35-37页
   ·结果与讨论第37-44页
   ·本章小结第44页
 参考文献第44-47页
第三章 光催化条件下单晶硅表面半导体化合物SnSe的外延生长第47-60页
 前言第47-48页
   ·实验部分第48-50页
   ·结果与讨论第50-58页
   ·本章小结第58页
 参考文献第58-60页
第四章 ITO/玻璃表面恒电位沉积Cu_2O/Cu膜的制备和表征第60-74页
 前言第60页
   ·实验部分第60-61页
   ·结果与讨论第61-71页
   ·本章小结第71-72页
 参考文献第72-74页
第五章 结论与展望第74-76页
 结论第74页
 展望第74-76页
附录 作者硕士期间发表论文目录第76-77页
致谢第77页

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