摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-11页 |
第一章 综述 | 第11-35页 |
前言 | 第11页 |
·光电半导体材料的研究现状 | 第11-13页 |
·半导体材料制备方法 | 第13-17页 |
·原子层外延 | 第17-20页 |
·硅片上的电化学反应 | 第20-22页 |
·导电玻璃基底上的电化学反应 | 第22-23页 |
·材料现代分析方法 | 第23-27页 |
·本论文的选题思路与研究目的 | 第27-28页 |
参考文献 | 第28-35页 |
第二章 SnSe光子晶体在金片电极上的电化学原子层外延生长与表面分析 | 第35-47页 |
前言 | 第35页 |
·实验部分 | 第35-37页 |
·结果与讨论 | 第37-44页 |
·本章小结 | 第44页 |
参考文献 | 第44-47页 |
第三章 光催化条件下单晶硅表面半导体化合物SnSe的外延生长 | 第47-60页 |
前言 | 第47-48页 |
·实验部分 | 第48-50页 |
·结果与讨论 | 第50-58页 |
·本章小结 | 第58页 |
参考文献 | 第58-60页 |
第四章 ITO/玻璃表面恒电位沉积Cu_2O/Cu膜的制备和表征 | 第60-74页 |
前言 | 第60页 |
·实验部分 | 第60-61页 |
·结果与讨论 | 第61-71页 |
·本章小结 | 第71-72页 |
参考文献 | 第72-74页 |
第五章 结论与展望 | 第74-76页 |
结论 | 第74页 |
展望 | 第74-76页 |
附录 作者硕士期间发表论文目录 | 第76-77页 |
致谢 | 第77页 |