| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| ·研究背景 | 第8-10页 |
| ·高介电常数材料 | 第10-13页 |
| ·电介质及介电材料 | 第10-11页 |
| ·高介电常数材料 | 第11-13页 |
| ·CaCu_3Ti_4O_(12)的高介电常数及其研究现状 | 第13-16页 |
| ·CaCu_3Ti_4O_(12)的晶体结构及基本性质 | 第13-15页 |
| ·CaCu_3Ti_4O_(12)的研究现状 | 第15-16页 |
| ·本文工作的研究内容与意义 | 第16-18页 |
| 第二章 CaCu_3Ti_4O_(12)的合成与烧结致密化 | 第18-37页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·实验与测试 | 第18-22页 |
| ·实验原料 | 第18-19页 |
| ·实验设计 | 第19-20页 |
| ·测试方法 | 第20-22页 |
| ·结果与讨论 | 第22-36页 |
| ·CaCu_3Ti_4O_(12)粉末的合成 | 第22-24页 |
| ·烧结温度对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷结构与性能的影响 | 第24-30页 |
| ·保温时间对CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷结构和性能的影响 | 第30-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第三章 CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷的掺杂改性研究 | 第37-57页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·实验与测试 | 第38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-56页 |
| ·Cu含量对CaCu_3Ti_4O_(12)结构和性能的影响 | 第38-45页 |
| ·MgO掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)结构和性能的影响 | 第45-51页 |
| ·SiC掺杂对CaCu_3Ti_4O_(12)结构和性能的影响 | 第51-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第四章 脉冲激光沉积CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜及其结构表征 | 第57-75页 |
| ·引言 | 第57页 |
| ·脉冲激光沉积技术简介 | 第57-61页 |
| ·概述 | 第57-59页 |
| ·PLD的基本原理 | 第59-61页 |
| ·PLD技术的优缺点 | 第61页 |
| ·实验与测试 | 第61-63页 |
| ·实验过程 | 第61-63页 |
| ·测试方法 | 第63页 |
| ·结果与讨论 | 第63-74页 |
| ·基片温度对CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜结构的影响 | 第64-66页 |
| ·沉积氧压对CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜结构的影响 | 第66-70页 |
| ·激光能量密度对CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜结构的影响 | 第70-74页 |
| ·小结 | 第74-75页 |
| 第五章 结论 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 致谢 | 第81页 |
