| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 1 绪论 | 第13-29页 |
| ·SONOS 结构非挥发性存储器件 | 第14-21页 |
| ·SONOS 存储器件结构 | 第14页 |
| ·SONOS 器件的工作机理 | 第14-16页 |
| ·热载流子注入机制 | 第15页 |
| ·载流子隧穿机制 | 第15-16页 |
| ·SONOS 存储器件操作过程（Operation Process） | 第16-17页 |
| ·SONOS 器件性能 | 第17-18页 |
| ·SONOS 器件的氮化硅层改进 | 第18-21页 |
| ·锥形能带结构的氮化硅层 | 第19页 |
| ·中间氮原子多的氮化硅层 | 第19-20页 |
| ·氧元素掺杂氮化硅层 | 第20-21页 |
| ·密度泛函理论（DFT）简介 | 第21-26页 |
| ·本文研究的内容与意义 | 第26-29页 |
| ·本文研究背景与意义 | 第26-27页 |
| ·本文研究的方法 | 第27-29页 |
| 2 DFT 方法计算无定形氮化硅的红外光谱 | 第29-35页 |
| ·氮化硅材料结构简介 | 第29-31页 |
| ·无定形氮化硅的簇模型及DFT 方法计算红外光谱 | 第31-33页 |
| ·简单无定形氮化硅簇模型的建立 | 第31-32页 |
| ·DFT 方法计算无定形氮化硅的红外光谱 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 3 DFT 方法对未掺杂无定形氮化硅缺陷电荷俘获过程的研究 | 第35-48页 |
| ·无定形氮化硅缺陷实验研究方法简介 | 第35-36页 |
| ·K 中心缺陷分析 | 第36-38页 |
| ·缺陷的簇模型 | 第36-37页 |
| ·DFT 计算 | 第37-38页 |
| ·N 中心及N-pair 缺陷分析 | 第38-40页 |
| ·缺陷的簇模型 | 第38-39页 |
| ·DFT 计算 | 第39-40页 |
| ·Si-Si 缺陷和多重带悬挂键的硅缺陷分析 | 第40-42页 |
| ·缺陷的簇模型 | 第40-41页 |
| ·DFT 计算 | 第41-42页 |
| ·计算数据讨论 | 第42-47页 |
| ·带电荷缺陷俘获电荷过程机理 | 第42-45页 |
| ·缺陷俘获电荷能力 | 第45-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 4 DFT 方法研究掺杂氮化硅对SONOS 器件保持性能的作用 | 第48-59页 |
| ·掺杂的无定形氮化硅材料简介 | 第48-49页 |
| ·无定形氧氮化硅 | 第48-49页 |
| ·氟掺杂无定形氮化硅 | 第49页 |
| ·氧或硫元素掺杂氮化硅缺陷分析 | 第49-52页 |
| ·缺陷的簇模型 | 第49-50页 |
| ·DFT 计算 | 第50-52页 |
| ·磷元素掺杂氮化硅缺陷分析 | 第52-54页 |
| ·缺陷的簇模型 | 第52-53页 |
| ·DFT 计算 | 第53-54页 |
| ·氟或氯元素掺杂氮化硅缺陷分析 | 第54-56页 |
| ·缺陷的簇模型 | 第54-55页 |
| ·DFT 计算 | 第55-56页 |
| ·计算数据讨论 | 第56-57页 |
| ·本章小节 | 第57-59页 |
| 5 结论和未来的工作 | 第59-61页 |
| ·结论 | 第59-60页 |
| ·未来的工作 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第67页 |
