| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-31页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 二维材料介绍 | 第16-19页 |
| 1.2.1 二维材料的发现 | 第16-18页 |
| 1.2.2 二硫化钼材料特性 | 第18-19页 |
| 1.3 MOS_2 FETs研究进展 | 第19-22页 |
| 1.4 MOS_2 FETs侧电极边缘接触研究 | 第22-26页 |
| 1.4.1 顶电极接触 | 第22-23页 |
| 1.4.2 侧电极接触 | 第23-26页 |
| 1.5 MoS_2 FETs静电掺杂研究 | 第26-28页 |
| 1.5.1 静电掺杂原理 | 第26-27页 |
| 1.5.2 静电掺杂研究进展 | 第27-28页 |
| 1.6 Silvaco TCAD仿真软件介绍 | 第28-29页 |
| 1.7 论文的内容安排 | 第29-31页 |
| 第2章 实验中所涉及的半导体工艺和仪器介绍 | 第31-43页 |
| 2.1 光刻图形化 | 第31-33页 |
| 2.1.1 电子束曝光 | 第31-32页 |
| 2.1.2 紫外曝光 | 第32-33页 |
| 2.2 材料刻蚀 | 第33-35页 |
| 2.2.1 感应耦合等离子体刻蚀 | 第34页 |
| 2.2.2 反应离子刻蚀 | 第34-35页 |
| 2.3 薄膜沉积 | 第35-38页 |
| 2.3.1 原子层沉积 | 第36页 |
| 2.3.2 磁控溅射 | 第36-37页 |
| 2.3.3 电子束蒸发 | 第37页 |
| 2.3.4 等离子体增强化学气相沉积 | 第37-38页 |
| 2.4 表征测试 | 第38-41页 |
| 2.4.1 原子力显微镜 | 第38-39页 |
| 2.4.2 冷场扫描电子显微镜 | 第39-40页 |
| 2.4.3 接触式探针轮廓仪 | 第40-41页 |
| 2.4.4 半导体参数分析仪 | 第41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-43页 |
| 第3章 边缘接触MoS_2 FETs的制备和电学性能研究 | 第43-63页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.2 实验方法探讨 | 第44-45页 |
| 3.3 MOS_2薄膜的制备 | 第45-49页 |
| 3.3.1 SiO_2衬底标记制作 | 第45-46页 |
| 3.3.2 MoS_2薄膜的剥离和转移 | 第46-48页 |
| 3.3.3 MoS_2薄膜的表征 | 第48-49页 |
| 3.4 边缘接触MoS_2 FETs的制备 | 第49-55页 |
| 3.5 边缘接触MoS_2 FETs电学特性 | 第55-59页 |
| 3.6 边缘接触MoS_2 FETs接触电阻提取 | 第59-61页 |
| 3.7 本章小结 | 第61-63页 |
| 第4章 MoS_2 FETs静电掺杂TCAD仿真 | 第63-77页 |
| 4.1 MoS_2 FETs紧凑电压-电流模型 | 第63-66页 |
| 4.1.1 MoS_2 FETs紧凑电压-电流模型 | 第63-65页 |
| 4.1.2 MoS_2 FETs仿真初始模型验证 | 第65-66页 |
| 4.2 不同掺杂浓度MoS_2 FETs TCAD仿真 | 第66-70页 |
| 4.2.1 MoS_2 FETs掺杂浓度仿真器件结构 | 第66-68页 |
| 4.2.2 不同掺杂浓度MoS_2 FETs仿真结果分析 | 第68-70页 |
| 4.3 MoS_2 FETs静电掺杂TCAD仿真 | 第70-75页 |
| 4.3.1 MoS_2 FETs静电掺杂仿真器件结构 | 第70-71页 |
| 4.3.2 MoS_2 FETs静电掺杂仿真结果分析 | 第71-75页 |
| 4.4 本章小结 | 第75-77页 |
| 第5章 总结与展望 | 第77-81页 |
| 5.1 工作总结 | 第77-78页 |
| 5.2 未来展望 | 第78-81页 |
| 参考文献 | 第81-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第89页 |
