| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-12页 |
| ·SiC 材料和SiC MESFET 的简介 | 第6-7页 |
| ·4H-SiC 射频MESFET 的研究现状以及存在的问题 | 第7-10页 |
| ·本文开展的工作及意义 | 第10-12页 |
| 第二章4H-SiC 射频大功率MESFET 小信号模型分析 | 第12-24页 |
| ·4H-SiC MESFET 小信号模型简介 | 第12-14页 |
| ·4H-SiC MESFET 小信号模型等效电路分析 | 第14-23页 |
| ·4H-SiC MESFET 小信号寄生参数的提取 | 第14-16页 |
| ·4H-SiC MESFET 小信号本征参数的确定 | 第16-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 4H-SiC 射频大功率MESFET 大信号模型的研究 | 第24-38页 |
| ·4H-SiC MESFET 大信号等效电路与模型的分析 | 第24-28页 |
| ·4H-SiC 射频大功率MESFET 漏源电流模型的建立 | 第28-33页 |
| ·4H-SiC 射频大功率MESFET 栅电容模型的建立 | 第33-36页 |
| ·4H-SiC MESFET 栅源电容模型的建立 | 第33-35页 |
| ·4H-SiC MESFET 栅漏电容模型的建立 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 4H-SiC MESFET 射频功率合成的研究 | 第38-50页 |
| ·射频功率分配器/合成器的分析与设计 | 第38-44页 |
| ·微带线的简介 | 第39-40页 |
| ·微带功率分配器/合成器的基本原理 | 第40-43页 |
| ·微带型功率分配器/合成器的分析与设计 | 第43-44页 |
| ·4H-SiC MESFET 射频功率合成电路的设计与分析 | 第44-48页 |
| ·单管射频功率放大器的设计与分析 | 第45-47页 |
| ·双管射频功率合成电路的设计与分析 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第60页 |
