| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 目录 | 第8-12页 |
| 第一章、前言 | 第12-37页 |
| ·SOI技术 | 第12-21页 |
| ·基本概念 | 第12-13页 |
| ·SOI的优势及应用 | 第13-15页 |
| ·SOI材料的主流制备技术 | 第15-18页 |
| ·SOI器件固有物理问题 | 第18-19页 |
| ·SOI技术发展的现状与展望 | 第19-21页 |
| ·应变Si技术 | 第21-29页 |
| ·基本概念 | 第21-22页 |
| ·应变Si产生的途径 | 第22-24页 |
| ·应变Si的优势 | 第24-25页 |
| ·应变Si存在物理问题 | 第25-26页 |
| ·应变Si技术的发展现状与未来商业市场 | 第26-28页 |
| ·SGOI材料方面 | 第28-29页 |
| ·高K栅介质材料 | 第29-35页 |
| ·基本概念 | 第29-30页 |
| ·高K栅介质材料的基本要求 | 第30-31页 |
| ·国际研究进展 | 第31-35页 |
| ·仍然存在的问题 | 第35页 |
| ·本论文工作 | 第35-37页 |
| 第二章、低应变SiGe生长及表征 | 第37-56页 |
| ·引言 | 第37-41页 |
| ·异质外延 | 第37-38页 |
| ·SiGe薄膜生长的临界厚度 | 第38-40页 |
| ·“容忍型”衬底的概念 | 第40-41页 |
| ·SiGe薄膜的生长 | 第41-44页 |
| ·超高真空化学气相沉积(UHVCVD)系统 | 第41-44页 |
| ·实验流程 | 第44页 |
| ·SiGe材料表征 | 第44-51页 |
| ·俄歇电子能谱(AES) | 第44-45页 |
| ·四晶衍射(摇摆曲线) | 第45-49页 |
| ·Raman光谱 | 第49-50页 |
| ·透射电镜 | 第50-51页 |
| ·SiGe薄膜的应力释放 | 第51-55页 |
| ·摇摆曲线 | 第52-54页 |
| ·透射电镜 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第三章、改良型Ge浓缩技术制备SGOI新结构及应变Si生长 | 第56-79页 |
| ·SGOI材料的主流制备技术 | 第56-61页 |
| ·SIMOX技术 | 第56-58页 |
| ·键合技术 | 第58-59页 |
| ·Smart-Cut技术 | 第59页 |
| ·Ge浓缩技术 | 第59-61页 |
| ·实验流程 | 第61-62页 |
| ·SGOI材料的表征 | 第62-71页 |
| ·透射电镜观察 | 第62-63页 |
| ·X射线四晶衍射分析 | 第63-65页 |
| ·原子力显微镜(AFM)观察 | 第65-66页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第66-67页 |
| ·Raman光谱 | 第67-69页 |
| ·二次离子质谱(SIMS) | 第69-71页 |
| ·Ge浓缩技术中Ge原子运动机理 | 第71-74页 |
| ·应变Si的生长 | 第74-77页 |
| ·实验流程 | 第74-75页 |
| ·应变Si材料的表征 | 第75-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 第四章、埋层DLC的热稳定性研究 | 第79-91页 |
| ·类金刚石薄膜概述 | 第79-82页 |
| ·类金刚石薄膜的相结构 | 第79-80页 |
| ·类金刚石薄膜制备方法 | 第80-82页 |
| ·埋层DLC的制备 | 第82-83页 |
| ·埋层DLC的热稳定性分析 | 第83-90页 |
| ·Raman光谱 | 第83-86页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第86-89页 |
| ·高热稳定性的机理 | 第89-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 第五章、以SiO_2／DLC为双绝缘埋层的新结构SODI材料 | 第91-100页 |
| ·引言 | 第91-92页 |
| ·自加热效应 | 第91页 |
| ·SOD(Silicon-On-Diamond)材料 | 第91-92页 |
| ·SODI新结构材料的制备 | 第92-93页 |
| ·SODI新结构材料的表征与讨论 | 第93-99页 |
| ·透射电镜分析 | 第93-94页 |
| ·绝缘性能分析 | 第94-95页 |
| ·SODI新结构在抑制自加热效应方面的研究 | 第95-99页 |
| ·本章小结 | 第99-100页 |
| 第六章、SGOI衬底上高K栅介质的研究 | 第100-117页 |
| ·引言 | 第100-101页 |
| ·实验流程 | 第101-102页 |
| ·SGOI上高K栅介质材料的表征 | 第102-115页 |
| ·Al_2O_3高K栅介质材料的AFM分析 | 第102-103页 |
| ·Al_2O_3高K栅介质材料的TEM分析 | 第103-104页 |
| ·Al_2O_3与SGOI之间界面产物的HRXPS分析 | 第104-108页 |
| ·Al_2O_3高K栅介质材料的电学性能分析 | 第108-109页 |
| ·Al_2O_3／ZrO_2／Al_2O_3高K栅介质材料的TEM分析 | 第109-110页 |
| ·SGOI衬底上Al_2O_3／ZrO_2／Al_2O_3栅介质的HRXPS分析 | 第110-112页 |
| ·Al_2O_3／ZrO_2／Al_2O_3高K栅介质材料的电学性能分析 | 第112-113页 |
| ·Zr_(0.6)Al_(0.4)O_(1.8)栅介质材料的热稳定性 | 第113-114页 |
| ·Zr_(0.6)Al_(0.4)O_(1.8)栅介质材料的TEM分析 | 第114页 |
| ·SiGe上Zr_(0.6)Al_(0.4)O_(1.8)栅介质材料的元素分布 | 第114-115页 |
| ·本章小结 | 第115-117页 |
| 第七章、总结 | 第117-119页 |
| 参考文献 | 第119-129页 |
| 发表学术论文目录 | 第129-134页 |
| 致谢 | 第134-136页 |
| 个人简历 | 第136-137页 |
| 学位论文独创性声明 | 第137页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第137页 |
