硅碳氮薄膜的制备与发光性能的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| ·硅碳氮薄膜的研究意义 | 第8-9页 |
| ·半导体发光薄膜的制备方法 | 第9-14页 |
| ·化学气相沉积法 | 第9-10页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第10页 |
| ·离子注入法 | 第10-11页 |
| ·物理气相沉积 | 第11-14页 |
| ·脉冲激光溅射沉积 | 第11页 |
| ·磁控溅射法 | 第11-14页 |
| ·硅碳氮薄膜的研究进展 | 第14-20页 |
| ·硅碳氮薄膜的研究现状 | 第14-17页 |
| ·硅碳氮薄膜的发光性能及发光机理研究 | 第17-20页 |
| ·硅碳氮发光薄膜存在的问题 | 第20页 |
| ·本试验的思路及创新之处 | 第20-22页 |
| 第二章 试验原料和试验装置 | 第22-27页 |
| ·试验材料 | 第22页 |
| ·试验的制备与测试设备 | 第22-24页 |
| ·JGP450G 型三靶共溅射高真空磁控溅射设备 | 第22-23页 |
| ·GSL1600X 真空管式高温炉 | 第23页 |
| ·光致发光性能测试（PL） | 第23页 |
| ·微观结构分析（TEM） | 第23页 |
| ·结晶相分析（XRD） | 第23页 |
| ·表面价态分析（XPS） | 第23-24页 |
| ·表面键分析（FTIR） | 第24页 |
| ·硅碳氮薄膜的制备 | 第24-27页 |
| ·溅射法制备非晶硅碳氮薄膜 | 第24-25页 |
| ·高温退火 | 第25-26页 |
| ·低温低压氮气退火 | 第26-27页 |
| 第三章 试验的结果与讨论 | 第27-51页 |
| ·高温退火温度的研究 | 第27-35页 |
| ·光致发光性能（PL） | 第27-28页 |
| ·结晶相分析（XRD） | 第28-30页 |
| ·微观结构（TEM） | 第30-33页 |
| ·表面键分析（FTIR） | 第33页 |
| ·发光机理研究 | 第33-35页 |
| ·高温退火气氛的研究 | 第35-39页 |
| ·光致发光性能（PL） | 第35-36页 |
| ·微观结构（TEM） | 第36-38页 |
| ·表面键分析（FTIR） | 第38-39页 |
| ·低温低压的氮气中退火的研究 | 第39-46页 |
| ·光致发光性能（PL） | 第39页 |
| ·结晶相分析（XRD） | 第39-40页 |
| ·微观结构分析（TEM） | 第40-41页 |
| ·表面价态分析（XPS） | 第41-44页 |
| ·表面键分析（FTIR） | 第44-45页 |
| ·发光机理研究 | 第45-46页 |
| ·保温时间对 SiCN 薄膜的发光性能的影响 | 第46-47页 |
| ·不同成分的退火硅碳氮薄膜发光的初步研究 | 第47-51页 |
| 第四章 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-58页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
