| 第一章 绪论 | 第1-20页 |
| ·扫描探针显微镜 | 第8-13页 |
| ·原子力显微镜 | 第9-13页 |
| ·原子力显微镜的工作原理 | 第9-10页 |
| ·原子力显微镜的成像模式 | 第10-13页 |
| ·静电力显微镜的表面电势成像 | 第13页 |
| ·压电力显微镜的压电响应模式成像 | 第13页 |
| ·铁电陶瓷薄膜 | 第13-19页 |
| ·铁电材料的自发极化 | 第14-18页 |
| ·铁电材料铁电性的起因 | 第15-16页 |
| ·铁电材料的铁电性 | 第16-17页 |
| ·铁电材料的结构特征 | 第17-18页 |
| ·铁电薄膜的制备技术 | 第18-19页 |
| ·本论文的研究目的、意义及主要内容 | 第19-20页 |
| ·研究内容 | 第19页 |
| ·研究目的和意义 | 第19-20页 |
| 第二章 Pb(Zr_(0.30)Ti_(0.70))O_3铁电薄膜的制备及其微观结构与铁电性能的研究 | 第20-39页 |
| ·引言 | 第20页 |
| ·实验与测试方法 | 第20-26页 |
| ·原料 | 第20页 |
| ·样品的制备 | 第20-24页 |
| ·基片的清洗 | 第20-21页 |
| ·PT种子层的制备 | 第21-22页 |
| ·PZT薄膜的制备 | 第22-24页 |
| ·PT／PZT／PT薄膜的制备 | 第24页 |
| ·样品结构与铁电性能的表征方法 | 第24-26页 |
| ·物相分析(XRD衍射分析) | 第24页 |
| ·电滞回线的测试方法 | 第24-25页 |
| ·微观形貌和结构分析 | 第25-26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-38页 |
| ·影响PZT铁电薄膜结构的因素 | 第26-27页 |
| ·基片的选择 | 第26页 |
| ·快速热处理工艺 | 第26页 |
| ·PT种子层的影响 | 第26-27页 |
| ·基片、PZT粉末及无种子层的PZT铁电薄膜的X射线衍射分析 | 第27-28页 |
| ·PZT铁电薄膜的X射线衍射分析 | 第28-30页 |
| ·电滞回线分析 | 第30-33页 |
| ·PZT薄膜的形貌 | 第33-38页 |
| ·经650℃退火的PZT薄膜的形貌图 | 第33-36页 |
| ·经650℃退火的PZT铁电薄膜的相位图 | 第36-37页 |
| ·截面分析 | 第37-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第三章 PZT铁电薄膜电畴结构与表面电势的研究 | 第39-59页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·测试仪器与成像原理 | 第39-42页 |
| ·测试仪器 | 第39页 |
| ·AFM的成像原理 | 第39-42页 |
| ·压电响应模式成像的原理 | 第39-41页 |
| ·表面电势模式成像的原理 | 第41-42页 |
| ·测试结果与讨论 | 第42-57页 |
| ·PZT薄膜的形貌与相位图 | 第42-43页 |
| ·纳米尺度畴成像 | 第43-57页 |
| ·压电响应驱动电压的振幅和频率对铁电畴成像的影响 | 第43-46页 |
| ·纳米尺度铁电畴成像 | 第46-47页 |
| ·压电响应成像模式下获得的不同类型图像之对比 | 第47-48页 |
| ·人工极化后铁电畴的反转 | 第48-51页 |
| ·极化电压对纳米尺度铁电畴反转的影响 | 第51-53页 |
| ·极化次数对纳米尺度铁电畴反转的影响 | 第53-55页 |
| ·铁电薄膜畴反转后其表面电势的变化 | 第55-57页 |
| ·铁电薄膜表面电势随时间的变化 | 第57页 |
| ·小结 | 第57-59页 |
| 第四章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 附录 攻读硕士期间发表的论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |