| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| ·前言 | 第9-10页 |
| ·Ir涂层的制备及其应用 | 第10-15页 |
| ·溅射物理气相沉积制备Ir涂层 | 第10-11页 |
| ·化学气相沉积制备Ir涂层 | 第11页 |
| ·金属有机物化学气相沉积制备Ir涂层 | 第11-13页 |
| ·Ir涂层的应用现状 | 第13-15页 |
| ·C／SiC复合材料 | 第15-16页 |
| ·Ir与SiC的固相反应 | 第16-22页 |
| ·Ir与SiC固相反应的热重-差热研究 | 第16-20页 |
| ·Ir与SiC固相反应的真空热处理及XRD分析 | 第20页 |
| ·Ir与SiC反应的热力学 | 第20-21页 |
| ·Ir与SiC固相反应结论 | 第21-22页 |
| ·本文的选题依据和研究目标 | 第22-23页 |
| ·研究内容 | 第23-24页 |
| 第2章 实验过程与方法 | 第24-30页 |
| ·实验原料 | 第24-25页 |
| ·金属有机物先驱体 | 第24页 |
| ·制备PyC界面相和SiC涂层所用的气源物质 | 第24-25页 |
| ·基片材料 | 第25页 |
| ·实验设备与仪器 | 第25-27页 |
| ·MOCVD沉积设备 | 第25-26页 |
| ·涂层结合力测定 | 第26页 |
| ·热处理试验设备 | 第26页 |
| ·显微结构和化学成分分析 | 第26-27页 |
| ·实验方法 | 第27-30页 |
| ·SiC涂层的制备 | 第27页 |
| ·PyC层的制备 | 第27页 |
| ·MOCVD Ir涂层的制备 | 第27页 |
| ·Ir-PyC-SiC-C／SiC材料体系制备 | 第27-30页 |
| 第3章 沉积态Ir涂层质量及其影响因素 | 第30-50页 |
| ·先驱体源与试样间距对Ir涂层沉积质量的影响 | 第31-37页 |
| ·实验方案 | 第31页 |
| ·先驱体源与试样间距对Ir涂层表面形貌的影响 | 第31-33页 |
| ·先驱体源与试样间距对Ir涂层断面结构的影响 | 第33-37页 |
| ·基片对Ir涂层沉积质量的影响 | 第37-41页 |
| ·基片类型对Ir涂层沉积质量的影响 | 第37-38页 |
| ·基片表面形貌对MOCVD Ir涂层沉积结果的影响 | 第38-41页 |
| ·沉积温度对Ir涂层沉积结果的影响 | 第41-48页 |
| ·实验方案 | 第41-42页 |
| ·沉积温度对MOCVD Ir涂层表面形貌的影响 | 第42-45页 |
| ·沉积温度对Ir涂层沉积效率的影响 | 第45-48页 |
| ·多层涂层中的裂纹封填及界面 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第4章 PyC层对复合涂层体系质量的影响 | 第50-58页 |
| ·PyC反应阻挡层分析 | 第50-52页 |
| ·PyC层对基底形貌的影响及其微结构分析 | 第50-52页 |
| ·划痕法测量Ir涂层结合力 | 第52-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第5章 复合涂层体系的高温稳定性 | 第58-77页 |
| ·惰性气氛热处理实验 | 第58-72页 |
| ·惰性气氛热处理实验方案 | 第58页 |
| ·高升温速率热处理实验结果 | 第58-69页 |
| ·低升温速率热处理实验结果 | 第69-72页 |
| ·氧化气氛热处理实验 | 第72-76页 |
| ·氧化性气氛热处理实验方案 | 第72-73页 |
| ·实验结果及讨论 | 第73-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 附录 攻读硕士阶段发表的论文 | 第85-86页 |