| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·防伪与防伪检测技术 | 第8-9页 |
| ·基于光学频率上转换(下转换)的防伪检测技术 | 第9-10页 |
| ·基于光学频率上转换(下转换)的防伪检测方案 | 第10-12页 |
| ·分立器件检测方案 | 第10-12页 |
| ·集成器件检测方案 | 第12页 |
| ·本文选题背景、主要研究工作与各章节主要内容 | 第12-15页 |
| 第二章 特种光电集成检测芯片的整体结构设计及空间光线分析 | 第15-30页 |
| ·光电集成技术的集成方向 | 第15-16页 |
| ·光电集成技术发展回顾 | 第16-20页 |
| ·芯片集成方式选择及基于PLC 的混合集成 | 第20-22页 |
| ·特种光电集成检测芯片集成方式选择 | 第20页 |
| ·基于PLC 的混合集成 | 第20-22页 |
| ·特种光电集成检测芯片结构设计 | 第22-23页 |
| ·特种光电集成检测芯片结构仿真设计及光强分析 | 第23-29页 |
| ·LightTools~(?)光学系统模拟软件简介 | 第23-24页 |
| ·特种光电集成检测芯片系统建模 | 第24-27页 |
| ·特种光电集成检测芯片模拟系统光强分析 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 特种光电集成检测芯片核心器件的理论及结构分析 | 第30-46页 |
| ·发射芯片的结构及工作方式选择 | 第30-32页 |
| ·发射芯片工作方式 | 第30-31页 |
| ·发射芯片结构选择 | 第31-32页 |
| ·量子阱理论分析 | 第32-35页 |
| ·量子阱的限制效应 | 第32-34页 |
| ·量子阱中的状态密度 | 第34-35页 |
| ·量子阱激光器结构分析 | 第35-37页 |
| ·量子阱结构分类 | 第35-36页 |
| ·SQW 与MQW 结构比较 | 第36-37页 |
| ·GRIN-SCH 与SCH 结构比较 | 第37页 |
| ·量子阱激光器材料及其组分分析 | 第37-39页 |
| ·InGaAs/InGaAsP 和InGaAs/GaAs 激光器主要参数 | 第39-45页 |
| ·晶格失配与应变及对能带结构的影响 | 第39-40页 |
| ·应变量子阱的光增益 | 第40-42页 |
| ·阈值电流密度 | 第42页 |
| ·远场图和远场角 | 第42-43页 |
| ·光局限系数 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 特种光电集成检测芯片核心器件的仿真设计及结构参数优化 | 第46-68页 |
| ·LASTIP~(?)软件介绍 | 第46-49页 |
| ·模拟软件LASTIP~(?)的理论基础 | 第46-48页 |
| ·LASTIP~(?)软件组织结构介绍 | 第48-49页 |
| ·激光器结构选择 | 第49-58页 |
| ·激光器体结构选择 | 第49-50页 |
| ·量子阱数目的选择 | 第50-54页 |
| ·光限制层结构选择 | 第54-58页 |
| ·激光器材料选择 | 第58-59页 |
| ·激光器结构参数优化 | 第59-62页 |
| ·波导层厚度优化 | 第59-60页 |
| ·量子阱宽优化 | 第60-61页 |
| ·谐振腔长度优化 | 第61页 |
| ·脊波导宽度优化 | 第61-62页 |
| ·优化模型及模拟结果 | 第62-66页 |
| ·仿真模型 | 第62-63页 |
| ·仿真结果及讨论 | 第63-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第68-70页 |
| ·论文完成的主要工作 | 第68-69页 |
| ·工作中的主要创新点 | 第69页 |
| ·下一步工作展望与计划 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
