| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 气体传感器 | 第9-23页 |
| 1.2.1 气体传感器的定义和分类 | 第9-17页 |
| 1.2.2 半导体氧化物气体传感器敏感机理 | 第17-18页 |
| 1.2.3 气体传感器的性能参数 | 第18页 |
| 1.2.4 几种典型的WO_3和ZnO半导体氧化物气体传感器 | 第18-23页 |
| 1.3 本文的研究意义及内容 | 第23-24页 |
| 1.3.1 研究意义 | 第23页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第23页 |
| 1.3.3 研究的创新点 | 第23-24页 |
| 第二章 不同形貌三氧化钨的制备及其对氯气气敏特性的研究 | 第24-35页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 实验方法 | 第24-26页 |
| 2.2.1 实验试剂和方法 | 第24-25页 |
| 2.2.2 材料表征仪器 | 第25页 |
| 2.2.3 气敏元件的制备及测试 | 第25-26页 |
| 2.3 材料表征 | 第26-27页 |
| 2.3.1 材料XRD表征 | 第26页 |
| 2.3.2 材料形貌表征 | 第26-27页 |
| 2.3.3 材料不同形貌的机理分析 | 第27页 |
| 2.4 材料气敏性能 | 第27-31页 |
| 2.5 材料气敏机理研究 | 第31-34页 |
| 2.6 结论 | 第34-35页 |
| 第三章 可见光激发下花状N3/ZnO气体传感器 | 第35-44页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 实验方法 | 第35-36页 |
| 3.2.1 实验试剂和方法 | 第35-36页 |
| 3.2.2 材料表征仪器 | 第36页 |
| 3.3 材料表征 | 第36-39页 |
| 3.3.1 材料XRD表征 | 第36-37页 |
| 3.3.2 材料形貌表征 | 第37-39页 |
| 3.4 材料气敏性能 | 第39-42页 |
| 3.5 材料气敏机理研究 | 第42-43页 |
| 3.6 结论 | 第43-44页 |
| 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第51页 |