| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-21页 |
| ·选题背景 | 第8-9页 |
| ·low-k材料的介电常数 | 第9-11页 |
| ·电介质材料及其极化 | 第9-10页 |
| ·降低介电常数的途径 | 第10-11页 |
| ·理想low-k材料的基本特征及分类 | 第11-13页 |
| ·low-k材料的研究现状 | 第13-17页 |
| ·有机low-k材料 | 第13-14页 |
| ·无机low-k材料 | 第14-15页 |
| ·掺氟low-k材料 | 第15-16页 |
| ·多孔low-k材料 | 第16-17页 |
| ·纳米low-k材料 | 第17页 |
| ·非晶氮化碳材料的研究现状 | 第17-19页 |
| ·本论文的研究目的和研究内容 | 第19-21页 |
| 2 微波电子回旋共振等离子体磁控溅射系统 | 第21-30页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·溅射现象及原理 | 第21-23页 |
| ·溅射现象 | 第21-22页 |
| ·溅射原理 | 第22-23页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体增强溅射沉积 | 第23-24页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体源的原理及特点 | 第24-25页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体增强非平衡磁控溅射设备 | 第25-30页 |
| ·平衡磁控溅射和非平衡磁控溅射 | 第25-27页 |
| ·微波电子回旋共振等离子体增强非平衡磁控溅射设备 | 第27-30页 |
| 3 氮化碳薄膜的制备及其表征方法 | 第30-39页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·薄膜沉积的实验过程 | 第30-31页 |
| ·基底及前处理方法 | 第30-31页 |
| ·实验工艺流程 | 第31页 |
| ·薄膜结构和性能的表征方法 | 第31-39页 |
| ·化学结构表征-傅立叶变换红外光谱 | 第31-32页 |
| ·化学组分表征-X射线光电子能谱 | 第32-33页 |
| ·薄膜表面形貌、微观结构表征-透射电子显微镜 | 第33-34页 |
| ·薄膜介电性能表征 | 第34-39页 |
| 4 微波电子回旋共振等离子体增强非平衡磁控溅射制备CN_x薄膜 | 第39-52页 |
| ·薄膜生长速率 | 第39-42页 |
| ·薄膜的化学结构表征 | 第42-48页 |
| ·FT-IR检测结果 | 第42-44页 |
| ·XPS检测结果 | 第44-48页 |
| ·薄膜的介电性能表征 | 第48-52页 |
| ·C-V检测结果 | 第48-49页 |
| ·I-V检测结果 | 第49-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |