基于平面光波导的耦合/干涉型集成器件的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·基于平面光波导技术的集成器件的现状及前景 | 第10-17页 |
| ·本论文的主要内容及创新点 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-22页 |
| 第二章 平面光波导基本理论及相关数值模拟方法 | 第22-51页 |
| ·平面光波导理论基础 | 第22-30页 |
| ·平面光波导概述 | 第22-23页 |
| ·平板波导 | 第23-28页 |
| ·条形波导 | 第28页 |
| ·几种新型波导结构 | 第28-30页 |
| ·等效折射率方法 | 第30-37页 |
| ·传统等效折射率方法 | 第30-32页 |
| ·改进的等效折射率方法 | 第32-37页 |
| ·平面光波导数值模拟方法 | 第37-47页 |
| ·有限差分方法 | 第37-41页 |
| ·有限差分束传播法 | 第41-45页 |
| ·时域有限差分 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 第三章 平面波导多模干涉耦合器及应用 | 第51-77页 |
| ·平面波导多模干涉耦合器 | 第51-55页 |
| ·多模干涉耦合器概述 | 第51-52页 |
| ·多模干涉耦合器的工作原理及分析方法 | 第52-55页 |
| ·平面波导多模干涉耦合器的垂直多模效应 | 第55-62页 |
| ·垂直多模效应 | 第55-57页 |
| ·垂直方向多模效应对多模干涉分束器的性能影响 | 第57页 |
| ·多模干涉分束器的优化设计 | 第57-62页 |
| ·基于深刻蚀二氧化硅的多模干涉耦合器 | 第62-66页 |
| ·深刻蚀二氧化硅波导 | 第62-63页 |
| ·基于深刻蚀二氧化硅的多模干涉耦合器的特性 | 第63-66页 |
| ·基于MMI的偏振不敏感波分(解)复用器 | 第66-71页 |
| ·波分(解)复用器概述 | 第66页 |
| ·基于MMI的偏振不敏感波分(解)复用器 | 第66-71页 |
| ·基于非对称型马赫曾德干涉仪的传感器 | 第71-74页 |
| ·传感器技术概述 | 第71-72页 |
| ·基于非对称型马赫曾德干涉仪的传感器 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 第四章 基于光子晶体的新型集成器件 | 第77-99页 |
| ·光子晶体概述 | 第77-82页 |
| ·光子晶体的概念 | 第77-78页 |
| ·光子晶体的应用 | 第78-80页 |
| ·二维光子晶体 | 第80-82页 |
| ·基于光子晶体辅助型的MMI偏振分束器 | 第82-87页 |
| ·偏振分束器概述 | 第82-83页 |
| ·光子晶体辅助型的MMI偏振分束器的设计 | 第83-85页 |
| ·光子晶体辅助型的MMI偏振分束器的特性 | 第85-87页 |
| ·基于光子晶体波导耦合器的三波长分路器 | 第87-94页 |
| ·三波长分路器概述 | 第87-89页 |
| ·光子晶体波导方向耦合器 | 第89-90页 |
| ·基于光子晶体波导方向耦合器的三波长分路器的设计 | 第90-94页 |
| 参考文献 | 第94-99页 |
| 第五章 平面光波导器件的制作工艺及器件特性测试 | 第99-127页 |
| ·平面光波导器件制作工艺流程 | 第99-100页 |
| ·光刻工艺 | 第100-106页 |
| ·光刻工艺概述 | 第100-102页 |
| ·电子束曝光 | 第102-106页 |
| ·刻蚀工艺 | 第106-113页 |
| ·反应离子刻蚀 | 第107-109页 |
| ·感应耦合型反应离子刻蚀 | 第109-111页 |
| ·化学辅助型离子束刻蚀 | 第111-113页 |
| ·光波导器件的测试 | 第113-115页 |
| ·部分器件制作/测试结果与讨论 | 第115-125页 |
| ·ICP干法刻蚀的刻蚀迟滞效应 | 第115-119页 |
| ·光子晶体波导FP腔 | 第119-122页 |
| ·干法刻蚀光子晶体中载流子寿命的研究 | 第122-125页 |
| 参考文献 | 第125-127页 |
| 第六章 总结和展望 | 第127-129页 |
| ·本论文工作总结 | 第127-128页 |
| ·工作展望 | 第128-129页 |
| 博士在读期间发表的论文 | 第129-131页 |
| 致谢 | 第131页 |
