| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 致谢 | 第8-13页 |
| 第一章 绪言 | 第13-19页 |
| ·薄膜材料研究的意义 | 第13-14页 |
| ·薄膜材料研究的国内外现状 | 第14-18页 |
| ·研究背景 | 第14-16页 |
| ·研究现状 | 第16-18页 |
| ·本文的研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 薄膜材料微观生长的研究方法 | 第19-34页 |
| ·计算物理学概述 | 第19-20页 |
| ·计算机模拟方法的分类描述 | 第20-26页 |
| ·蒙特卡罗（Monte Carlo simulation, MC）方法 | 第20-23页 |
| ·分子动力学（Molecular dynamics simulation, MD）方法 | 第23-26页 |
| ·虚拟现实技术与图形学 | 第26-29页 |
| ·计算机图形学在薄膜仿真中的应用 | 第29-33页 |
| ·蒙特卡罗波茨晶格的图像表示 | 第29-30页 |
| ·离散点图 | 第30-33页 |
| ·本章小节 | 第33-34页 |
| 第三章 磁控溅射铜薄膜生长的二维模拟 | 第34-44页 |
| ·磁控溅射铜薄膜的制备 | 第34页 |
| ·工件的预处理 | 第34页 |
| ·磁控溅射镀膜工艺 | 第34页 |
| ·磁控溅射铜薄膜的表征 | 第34页 |
| ·铜薄膜生长的蒙特卡罗模拟 | 第34-38页 |
| ·系统模型的建立 | 第34-35页 |
| ·能量算符 | 第35-36页 |
| ·蒙特卡罗算法 | 第36-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-42页 |
| ·铜薄膜的表征及模拟结果 | 第38-40页 |
| ·铜薄膜生长过程中的晶粒变化情况 | 第40-42页 |
| ·结论 | 第42-44页 |
| 第四章 磁控溅射铜薄膜生长的三维模拟 | 第44-63页 |
| ·模型算法 | 第44-49页 |
| ·系统模型 | 第44页 |
| ·模型算法 | 第44-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-62页 |
| ·铜膜的三维形貌 | 第49-50页 |
| ·基底活性分布对薄膜生长的影响 | 第50-60页 |
| ·温度对薄膜生长的影响 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第62-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-64页 |
| ·总结 | 第63页 |
| ·展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第67-68页 |