| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| ·自旋电子学与稀磁半导体 | 第10-12页 |
| ·基于ZnO的稀磁半导体材料的研究现状 | 第12-13页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第13-14页 |
| 第2章 计算材料学和第一性原理 | 第14-25页 |
| ·计算模拟的作用和优点 | 第14页 |
| ·第一性原理计算方法 | 第14-22页 |
| ·密度泛函理论 | 第15-21页 |
| ·赝势平面波方法 | 第21-22页 |
| ·本文所用计算程序简介 | 第22-25页 |
| 第3章 本征ZnO的电子结构和性质研究 | 第25-34页 |
| ·ZnO理论模型与计算结果讨论 | 第25-29页 |
| ·计算方法和模型 | 第25-26页 |
| ·电子结构分析 | 第26-29页 |
| ·ZnO的本征缺陷计算与分析 | 第29-33页 |
| ·计算方法和模型 | 第29-30页 |
| ·电子结构分析 | 第30-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 V掺杂ZnO稀磁半导体的电子和磁结构的研究 | 第34-45页 |
| ·对(Zn,V)O体系的第一性原理研究 | 第34-38页 |
| ·计算方法和模型 | 第34-35页 |
| ·计算结果与讨论 | 第35-38页 |
| ·O空位和Zn空位对(Zn,V)O体系电子结构和磁性的影响 | 第38-43页 |
| ·计算方法和模型 | 第38-39页 |
| ·计算结果与讨论 | 第39-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第5章 Mn掺杂ZnO稀磁半导体的电子和磁结构的研究 | 第45-55页 |
| ·对(Zn,Mn)O体系的第一性原理研究 | 第45-49页 |
| ·计算方法和模型 | 第45-46页 |
| ·计算结果与讨论 | 第46-49页 |
| ·O空位和Zn空位对(Zn,Mn)O体系AFM电子结构和磁性的影响 | 第49-54页 |
| ·计算方法和模型 | 第49-50页 |
| ·计算结果与讨论 | 第50-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 结束语 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
