| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-22页 |
| ·ZnO晶体的特性 | 第11-13页 |
| ·ZnO晶体的基本物性与结构 | 第11-12页 |
| ·ZnO晶体的电学特性 | 第12页 |
| ·ZnO晶体的光学特性 | 第12-13页 |
| ·ZnO晶体的稀磁特性 | 第13页 |
| ·ZnO晶体的压电特性 | 第13页 |
| ·ZnO晶体材料的主要应用 | 第13-16页 |
| ·发光器件 | 第13-14页 |
| ·压电器件 | 第14-15页 |
| ·透明电极 | 第15-16页 |
| ·其它应用 | 第16页 |
| ·晶体的生长理论 | 第16-17页 |
| ·ZnO晶体的常见合成方法 | 第17-21页 |
| ·固熔法 | 第17-18页 |
| ·助溶剂法 | 第18页 |
| ·水热法 | 第18-19页 |
| ·气相法 | 第19-21页 |
| ·本论文工作 | 第21-22页 |
| 第2章 化学气相输运(CVT)法制备ZnO晶体的实验过程 | 第22-25页 |
| ·CVT实验装置及原料 | 第22-23页 |
| ·实验装置 | 第22页 |
| ·实验原料 | 第22-23页 |
| ·CVT实验基本过程 | 第23页 |
| ·清洗 | 第23页 |
| ·制备过程 | 第23页 |
| ·晶体的表征 | 第23-25页 |
| 第3章 以NH_4Cl为载气制备ZnO晶体 | 第25-31页 |
| ·ZnO晶体的制备与调整 | 第25-29页 |
| ·实验条件 | 第25-26页 |
| ·分析与表征手段 | 第26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-29页 |
| ·生长和调控机理分析 | 第29页 |
| ·制备定向生长的ZnO晶体 | 第29-30页 |
| ·实验条件 | 第29页 |
| ·形貌与分析 | 第29-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 第4章 以NH_3和HCl为载气制备ZnO晶体 | 第31-47页 |
| ·以NH_3为载气制备ZnO晶体 | 第31-39页 |
| ·实验条件 | 第31页 |
| ·样品的XRD与SEM分析 | 第31-32页 |
| ·ZnO晶体的形貌分析 | 第32-38页 |
| ·生长机理的分析 | 第38-39页 |
| ·调整HCl相对含量制备ZnO晶体 | 第39-43页 |
| ·实验条件 | 第39-40页 |
| ·ZnO晶体的形貌特征 | 第40-43页 |
| ·HCl的影响分析 | 第43页 |
| ·同质衬底生长ZnO晶体 | 第43-46页 |
| ·制备条件 | 第43-44页 |
| ·ZnO晶体的XRD和SEM分析 | 第44-45页 |
| ·单晶XRD分析 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第5章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 附录 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |