空间辐射环境对CMOS图像传感器性能影响的试验研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·课题背景和研究意义 | 第9页 |
| ·国内外发展现状 | 第9-13页 |
| ·CMOS 图像传感器的发展及空间应用现状 | 第9-12页 |
| ·CMOS 图像传感器的空间辐射效应研究现状 | 第12-13页 |
| ·研究途径 | 第13-14页 |
| ·本文主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第2章 空间辐射理论 | 第15-24页 |
| ·空间辐射及核爆辐射环境 | 第15-16页 |
| ·空间系统的轨道及辐射剂量 | 第16-18页 |
| ·空间系统的轨道 | 第16-17页 |
| ·卫星轨道与空间辐射剂量的选择 | 第17-18页 |
| ·空间辐射对微电子器件的损伤 | 第18-22页 |
| ·粒子相互作用 | 第18-20页 |
| ·损伤机制 | 第20页 |
| ·电离辐射 | 第20-21页 |
| ·位移效应 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-24页 |
| 第3章 CMOS 图像传感器理论 | 第24-33页 |
| ·CMOS 图像传感器的结构及工作原理 | 第24-28页 |
| ·CMOS 图像传感器的结构 | 第24-25页 |
| ·CMOS 图像传感器的工作原理 | 第25-27页 |
| ·MOSFET 的工作原理 | 第27-28页 |
| ·光电二极管 | 第28页 |
| ·CMOS 图像传感器的性能指标 | 第28-30页 |
| ·响应度 | 第28-29页 |
| ·量子效率 | 第29页 |
| ·填充因子 | 第29页 |
| ·暗电流 | 第29页 |
| ·动态范围 | 第29页 |
| ·像元响应不均匀性 | 第29-30页 |
| ·串扰 | 第30页 |
| ·噪声 | 第30页 |
| ·Si-Si0_2 界面电荷特性 | 第30-32页 |
| ·氧化物陷阱电荷Q_(ot) | 第30页 |
| ·界面陷阱电荷Q_(it) | 第30-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第4章 CMOS 图像传感器辐射效应的试验研究 | 第33-43页 |
| ·概述 | 第33页 |
| ·试验方案与布局 | 第33-36页 |
| ·器件选择 | 第33-34页 |
| ·试验布局 | 第34页 |
| ·测量量定义 | 第34-35页 |
| ·试验步骤 | 第35-36页 |
| ·试验结果及分析 | 第36-41页 |
| ·高低温试验 | 第36-37页 |
| ·总剂量效应 | 第37-39页 |
| ·退火效应 | 第39-40页 |
| ·滞后效应 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第5章 CMOS 图像传感器辐射环境适应性研究 | 第43-54页 |
| ·概述 | 第43页 |
| ·试验方案与布局 | 第43-46页 |
| ·器件介绍 | 第43-45页 |
| ·试验布局 | 第45页 |
| ·试验原理 | 第45-46页 |
| ·试验结果 | 第46-52页 |
| ·本底测试 | 第46-47页 |
| ·CMOS 图像传感器的总剂量效应 | 第47-49页 |
| ·CMOS 图像传感器的退火效应 | 第49-52页 |
| ·滞后现象 | 第52页 |
| ·空间应用适应性 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
