| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-26页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·新兴非挥发性存储器 | 第12-20页 |
| ·铁电存储器(FRAM) | 第12-14页 |
| ·磁存储器(MRAM) | 第14-16页 |
| ·相变存储器(PRAM) | 第16-17页 |
| ·阻变存储器(RRAM) | 第17-20页 |
| ·研究意义及研究内容 | 第20-22页 |
| ·研究意义 | 第20-21页 |
| ·研究内容 | 第21-22页 |
| 参考文献 | 第22-26页 |
| 第二章 阻变存储器概述 | 第26-55页 |
| ·阻变存储器的工作原理 | 第26页 |
| ·阻变存储器的材料 | 第26-32页 |
| ·复杂氧化物材料 | 第27页 |
| ·三元钙钛矿氧化物材料 | 第27-29页 |
| ·有机材料 | 第29-30页 |
| ·固态电解液材料 | 第30-31页 |
| ·二元金属氧化物材料 | 第31-32页 |
| ·评判阻变存储器性能的参数 | 第32-34页 |
| ·操作电压(operation voltage) | 第32-33页 |
| ·操作电流(operation current) | 第33页 |
| ·操作速度(operation speed) | 第33页 |
| ·电阻比率(resistance ratio) | 第33页 |
| ·耐受性(endurance) | 第33页 |
| ·保持特性(retention time) | 第33-34页 |
| ·多级存储(multilevel storage) | 第34页 |
| ·器件良率(device yield) | 第34页 |
| ·可缩小化(scaling) | 第34页 |
| ·阻变存储器的电阻转变机制 | 第34-41页 |
| ·导电细丝(Filament) | 第34-36页 |
| ·空间电荷限制电流效应(SCLC) | 第36-38页 |
| ·缺陷能级电荷俘获和释放(Trap charging and discharging) | 第38-39页 |
| ·肖特基发射效应(Schottky emission) | 第39页 |
| ·普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel) | 第39-41页 |
| ·影响电阻转变特性的主要因素 | 第41-43页 |
| ·电极材料对阻变特性的影响 | 第41-43页 |
| ·掺杂对阻变特性的影响 | 第43页 |
| ·器件结构对阻变特性的影响 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-55页 |
| 第三章 基于二元金属氧化物材料的RRAM器件 | 第55-96页 |
| ·基于ZrO_2材料的RRAM器件 | 第55-70页 |
| ·Cu/ZrO_2/Pt器件 | 第55-57页 |
| ·实验 | 第55-56页 |
| ·Cu/ZrO_2/Pt器件的电阻转变特性 | 第56-57页 |
| ·Cu/TiO_x:ZrO_2/Pt器件 | 第57-63页 |
| ·Cu/TiO_2:ZrO_2/Pt器件的电阻转变特性 | 第58-61页 |
| ·机理分析 | 第61-63页 |
| ·Au/ZrO_2/Ag器件 | 第63-70页 |
| ·实验 | 第63页 |
| ·Au/ZrO_2/Ag器件的电阻转变特性 | 第63-67页 |
| ·Au/ZrO_2/Ag器件的电阻转变机制 | 第67-70页 |
| ·基于WO_3材料的RRAM器件 | 第70-79页 |
| ·Cu/WO_3/Pt器件 | 第70-79页 |
| ·实验 | 第70-72页 |
| ·Cu/WO_3/Pt器件的电阻转变特性 | 第72-75页 |
| ·Cu/WO_3/Pt器件的电阻转变机制 | 第75-79页 |
| ·基于TiO_2材料的RRAM器件 | 第79-90页 |
| ·N_2退火改善TiO_x材料的电阻转变特性 | 第79-85页 |
| ·实验 | 第80页 |
| ·N_2退火对ALD生长TiO_x材料电阻转变性能的改善 | 第80-85页 |
| ·RTA器件电阻转变参数分布均匀的原因 | 第85页 |
| ·Al/TiO_x/Al结构器件 | 第85-90页 |
| ·实验 | 第86-87页 |
| ·Al/TiO_x/Al器件的电阻转变特性 | 第87-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-96页 |
| 第四章 Cu/WO_3/Pt器件的多值存储特性 | 第96-108页 |
| ·Cu/WO_3/Pt器件的基本电阻转变特性 | 第96-97页 |
| ·Cu/WO_3/Pt器件的多值存储特性 | 第97-101页 |
| ·多值存储机制 | 第101-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-108页 |
| 第五章 Cu/ZrO_2:Cu/Pt器件不稳定Reset现象的研究 | 第108-119页 |
| ·实验 | 第108-109页 |
| ·Cu/ZrO_2:Cu/Pt器件的电阻转变特性 | 第109-111页 |
| ·Cu/ZrO_2:Cu/Pt器件不稳定的Reset现象 | 第111-113页 |
| ·引起Cu/ZrO_2:Cu/Pt器件不稳定Reset现象的物理机制 | 第113-117页 |
| ·本章小结 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-119页 |
| 第六章 总结和展望 | 第119-121页 |
| ·论文工作总结 | 第119-120页 |
| ·未来工作展望 | 第120-121页 |
| 攻读学位期间发表论文、申请专利情况 | 第121-125页 |
| 致谢 | 第125页 |
