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铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的研究

摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第1章 绪论第11-32页
 §1.1 光伏技术的发展第11-17页
  §1.1.1 太阳电池的研究背景第11-12页
  §1.1.2 太阳电池的分类及发展现状第12-15页
  §1.1.3 薄膜太阳电池第15-17页
 §1.2 铜铟镓硒薄膜电池简介第17-24页
  §1.2.1 铜铟镓硒薄膜电池的发展第17-18页
  §1.2.2 铜铟镓硒薄膜电池的结构第18-20页
  §1.2.3 铜铟镓硒薄膜电池的工作原理第20-22页
  §1.2.4 铜铟镓硒薄膜的制备方法第22-24页
 §1.3 铜铟镓硒薄膜的物理性质第24-30页
  §1.3.1 铜铟镓硒薄膜的光学特性第24-25页
  §1.3.2 铜铟镓硒薄膜的电学特性第25-27页
  §1.3.3 铜铟镓硒薄膜的材料特性第27-30页
 §1.4 本论文的研究内容及创新点第30-32页
第2章 铜铟镓硒薄膜及电池的制备和表征方法第32-51页
 §2.1 引言第32页
 §2.2 电子束共蒸发沉积铜铟镓硒薄膜第32-41页
  §2.2.1 铜铟镓硒多源共蒸法第32-35页
  §2.2.2 铜铟镓硒共蒸发系统第35-36页
  §2.2.3 基板温度的测量第36-37页
  §2.2.4 厚度及组分监控方法第37-39页
  §2.2.5 铜铟镓硒薄膜的沉积第39-41页
 §2.3 铜铟镓硒电池、组件的制备工艺及特点第41-47页
  §2.3.1 基板第41-42页
  §2.3.2 Mo背接触电极第42-43页
  §2.3.3 CdS缓冲层第43-44页
  §2.3.4 i-ZnO和ZnO:Al窗口层第44-45页
  §2.3.5 Ag电极第45-46页
  §2.3.6 CIGS电池组件的工艺流程第46-47页
 §2.4 铜铟镓硒薄膜的表征第47-50页
  §2.4.1 铜铟镓硒薄膜的表征方法第47-48页
  §2.4.2 铜铟镓硒薄膜的表征条件第48-50页
 §2.5 本章小结第50-51页
第3章 铜铟镓硒薄膜工艺参数的优化第51-77页
 §3.1 引言第51页
 §3.2 工艺温度第51-58页
  §3.2.1 第一阶段的基板温度第51-53页
  §3.2.2 最高基板温度第53-56页
  §3.2.3 退火第56-58页
 §3.3 组分第58-67页
  §3.3.1 Cu含量第59-62页
  §3.3.2 Ga含量第62-67页
 §3.4 铟镓硒薄膜厚度比第67-70页
 §3.5 蒸发速率第70-71页
 §3.6 渐变带隙第71-76页
  §3.6.1 渐变带隙的分类第71-73页
  §3.6.2 构造铜铟镓硒薄膜渐变带隙第73-76页
 §3.7 本章小结第76-77页
第4章 铜铟镓硒薄膜的Na掺杂第77-91页
 §4.1 引言第77-79页
 §4.2 在沉积铜铟镓硒薄膜的不同时期掺杂Na第79-86页
  §4.2.1 NaF:Se薄膜的光学常数第79-80页
  §4.2.2 不同时期蒸发NaF对CIGS薄膜的影响第80-86页
 §4.3 其他Na掺杂方法第86-90页
  §4.3.1 后蒸发Na_2NO_3第86-87页
  §4.3.2 Na_2S预制层第87-90页
 §4.4 本章小结第90-91页
第5章 铜铟镓硒薄膜宽带隙表面层的构造第91-107页
 §5.1 引言第91-92页
 §5.2 电子束蒸发ZnS对铜铟镓硒薄膜表面层硫化第92-99页
  §5.2.1 电子束蒸发ZnS缓冲层第93-95页
  §5.2.2 ZnS对铜铟镓硒薄膜的表面硫化作用第95-99页
 §5.3 后沉积铟镓硒增加铜铟镓硒薄膜表面层带隙第99-105页
  §5.3.1 后沉积铟镓硒薄层的监控第99-101页
  §5.3.2 后沉积铟镓硒薄层对铜铟镓硒薄膜的影响第101-105页
 §5.4 本章小结第105-107页
第6章 总结与展望第107-109页
参考文献第109-121页
致谢第121-122页
攻读博士学位期间发表文章目录第122页

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