摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第1章 绪论 | 第11-32页 |
§1.1 光伏技术的发展 | 第11-17页 |
§1.1.1 太阳电池的研究背景 | 第11-12页 |
§1.1.2 太阳电池的分类及发展现状 | 第12-15页 |
§1.1.3 薄膜太阳电池 | 第15-17页 |
§1.2 铜铟镓硒薄膜电池简介 | 第17-24页 |
§1.2.1 铜铟镓硒薄膜电池的发展 | 第17-18页 |
§1.2.2 铜铟镓硒薄膜电池的结构 | 第18-20页 |
§1.2.3 铜铟镓硒薄膜电池的工作原理 | 第20-22页 |
§1.2.4 铜铟镓硒薄膜的制备方法 | 第22-24页 |
§1.3 铜铟镓硒薄膜的物理性质 | 第24-30页 |
§1.3.1 铜铟镓硒薄膜的光学特性 | 第24-25页 |
§1.3.2 铜铟镓硒薄膜的电学特性 | 第25-27页 |
§1.3.3 铜铟镓硒薄膜的材料特性 | 第27-30页 |
§1.4 本论文的研究内容及创新点 | 第30-32页 |
第2章 铜铟镓硒薄膜及电池的制备和表征方法 | 第32-51页 |
§2.1 引言 | 第32页 |
§2.2 电子束共蒸发沉积铜铟镓硒薄膜 | 第32-41页 |
§2.2.1 铜铟镓硒多源共蒸法 | 第32-35页 |
§2.2.2 铜铟镓硒共蒸发系统 | 第35-36页 |
§2.2.3 基板温度的测量 | 第36-37页 |
§2.2.4 厚度及组分监控方法 | 第37-39页 |
§2.2.5 铜铟镓硒薄膜的沉积 | 第39-41页 |
§2.3 铜铟镓硒电池、组件的制备工艺及特点 | 第41-47页 |
§2.3.1 基板 | 第41-42页 |
§2.3.2 Mo背接触电极 | 第42-43页 |
§2.3.3 CdS缓冲层 | 第43-44页 |
§2.3.4 i-ZnO和ZnO:Al窗口层 | 第44-45页 |
§2.3.5 Ag电极 | 第45-46页 |
§2.3.6 CIGS电池组件的工艺流程 | 第46-47页 |
§2.4 铜铟镓硒薄膜的表征 | 第47-50页 |
§2.4.1 铜铟镓硒薄膜的表征方法 | 第47-48页 |
§2.4.2 铜铟镓硒薄膜的表征条件 | 第48-50页 |
§2.5 本章小结 | 第50-51页 |
第3章 铜铟镓硒薄膜工艺参数的优化 | 第51-77页 |
§3.1 引言 | 第51页 |
§3.2 工艺温度 | 第51-58页 |
§3.2.1 第一阶段的基板温度 | 第51-53页 |
§3.2.2 最高基板温度 | 第53-56页 |
§3.2.3 退火 | 第56-58页 |
§3.3 组分 | 第58-67页 |
§3.3.1 Cu含量 | 第59-62页 |
§3.3.2 Ga含量 | 第62-67页 |
§3.4 铟镓硒薄膜厚度比 | 第67-70页 |
§3.5 蒸发速率 | 第70-71页 |
§3.6 渐变带隙 | 第71-76页 |
§3.6.1 渐变带隙的分类 | 第71-73页 |
§3.6.2 构造铜铟镓硒薄膜渐变带隙 | 第73-76页 |
§3.7 本章小结 | 第76-77页 |
第4章 铜铟镓硒薄膜的Na掺杂 | 第77-91页 |
§4.1 引言 | 第77-79页 |
§4.2 在沉积铜铟镓硒薄膜的不同时期掺杂Na | 第79-86页 |
§4.2.1 NaF:Se薄膜的光学常数 | 第79-80页 |
§4.2.2 不同时期蒸发NaF对CIGS薄膜的影响 | 第80-86页 |
§4.3 其他Na掺杂方法 | 第86-90页 |
§4.3.1 后蒸发Na_2NO_3 | 第86-87页 |
§4.3.2 Na_2S预制层 | 第87-90页 |
§4.4 本章小结 | 第90-91页 |
第5章 铜铟镓硒薄膜宽带隙表面层的构造 | 第91-107页 |
§5.1 引言 | 第91-92页 |
§5.2 电子束蒸发ZnS对铜铟镓硒薄膜表面层硫化 | 第92-99页 |
§5.2.1 电子束蒸发ZnS缓冲层 | 第93-95页 |
§5.2.2 ZnS对铜铟镓硒薄膜的表面硫化作用 | 第95-99页 |
§5.3 后沉积铟镓硒增加铜铟镓硒薄膜表面层带隙 | 第99-105页 |
§5.3.1 后沉积铟镓硒薄层的监控 | 第99-101页 |
§5.3.2 后沉积铟镓硒薄层对铜铟镓硒薄膜的影响 | 第101-105页 |
§5.4 本章小结 | 第105-107页 |
第6章 总结与展望 | 第107-109页 |
参考文献 | 第109-121页 |
致谢 | 第121-122页 |
攻读博士学位期间发表文章目录 | 第122页 |