| 摘要 | 第5-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第1章 密度泛函理论和电子输运理论 | 第14-26页 |
| 1.1 薛定谔方程 | 第14-15页 |
| 1.2 Born-Oppenheimer近似 | 第15页 |
| 1.3 Hartree-Fock方程 | 第15-17页 |
| 1.4 密度泛函理论 | 第17-20页 |
| 1.4.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第18-19页 |
| 1.4.2 Kohn-Sham方法 | 第19-20页 |
| 1.5 密度泛函理论的发展 | 第20-22页 |
| 1.5.1 局域密度近似(LDA) | 第20-21页 |
| 1.5.2 广义梯度近似(GGA) | 第21-22页 |
| 1.5.3 杂化密度泛函 | 第22页 |
| 1.6 非平衡格林函数方法 | 第22-24页 |
| 1.7 常见软件包 | 第24-26页 |
| 第2章 二维材料和二维半导体-金属结 | 第26-48页 |
| 2.1 二维材料的性质 | 第26-32页 |
| 2.1.1 TMDs | 第26-28页 |
| 2.1.2 磷烯 | 第28-29页 |
| 2.1.3 二维MXenes材料 | 第29-32页 |
| 2.2 二维材料的化学稳定性和电催化中的应用 | 第32-36页 |
| 2.2.1 黑磷的降解 | 第32-34页 |
| 2.2.2 二维氮掺杂石墨烯在电催化方面的应用 | 第34-36页 |
| 2.3 二维材料在金属-半导体结中的应用 | 第36-47页 |
| 2.3.1 金属-半导体结 | 第37-39页 |
| 2.3.2 二维半导体-金属接触构型 | 第39页 |
| 2.3.3 MoS_2-金属接触 | 第39-42页 |
| 2.3.4 黑磷-金属接触 | 第42-45页 |
| 2.3.5 二维金属-半导体结 | 第45-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第3章 砷烯(单层黑砷)的氧化及力学性质 | 第48-63页 |
| 3.1 砷烯的在大气环境中的氧化 | 第48-56页 |
| 3.1.1 研究动机 | 第48-49页 |
| 3.1.2 计算方法 | 第49-50页 |
| 3.1.3 结果和讨论 | 第50-55页 |
| 3.1.4 本节小结 | 第55-56页 |
| 3.2 砷烯的力学性质研究 | 第56-63页 |
| 3.2.1 计算方法 | 第57-58页 |
| 3.2.2 结果和讨论 | 第58-61页 |
| 3.2.3 本节小结 | 第61-63页 |
| 第4章 二氮掺杂石墨烯中的Co单原子高效催化二氧化碳电还原 | 第63-73页 |
| 4.1 还原和转化二氧化碳的意义 | 第63-64页 |
| 4.2 电催化二氧化碳还原为一氧化碳 | 第64-65页 |
| 4.3 氮掺杂石墨烯中的单个钴原子的电催化二氧化碳还原 | 第65-72页 |
| 4.3.1 实验介绍 | 第65-68页 |
| 4.3.2 理论计算 | 第68-72页 |
| 4.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第5章 层状C_2N与常见金属的接触 | 第73-94页 |
| 5.1 层状C_2N与传统金属的接触 | 第73-85页 |
| 5.1.1 二维材料的研究进展 | 第73-75页 |
| 5.1.2 计算方法 | 第75-76页 |
| 5.1.3 结果与讨论 | 第76-85页 |
| 5.1.4 本节小结 | 第85页 |
| 5.2 单层半导体C_2N和二维金属电极的接触 | 第85-94页 |
| 5.2.1 二维金属-半导体接触 | 第86-87页 |
| 5.2.2 计算方法和构型 | 第87-88页 |
| 5.2.3 结果和讨论 | 第88-93页 |
| 5.2.4 本节小结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-109页 |
| 致谢 | 第109-111页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第111页 |