| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 <111>-3C-SiC薄膜的研究意义 | 第9-16页 |
| 1.1.1 SiC的结构与多形 | 第9-12页 |
| 1.1.2 3C-SiC薄膜的应用 | 第12-13页 |
| 1.1.3 <111>-3C-SiC薄膜的特殊应用 | 第13-16页 |
| 1.2 <111>-3C-SiC薄膜的制备方法 | 第16-18页 |
| 1.3 <111>-3C-SiC薄膜的研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3.1 多晶<111>-3C-SiC薄膜的研究现状 | 第18-19页 |
| 1.3.2 单晶<111>-3C-SiC薄膜的研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文的研究目标、研究内容及创新点 | 第20-23页 |
| 1.4.1 本论文研究目标 | 第20-21页 |
| 1.4.2 本论文研究内容 | 第21-22页 |
| 1.4.3 本论文创新点 | 第22-23页 |
| 第2章 实验与测试 | 第23-31页 |
| 2.1 激光化学气相沉积技术原理及设备 | 第23-25页 |
| 2.2 原料 | 第25页 |
| 2.3 实验设计与工艺路线 | 第25-28页 |
| 2.3.1 实验设计 | 第25-27页 |
| 2.3.2 工艺路线 | 第27-28页 |
| 2.4 材料表征方法 | 第28-31页 |
| 2.4.1 X射线衍射 | 第28-29页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 | 第29页 |
| 2.4.3 原子力显微镜 | 第29页 |
| 2.4.4 透射电子显微镜 | 第29-31页 |
| 第3章 激光化学气相沉积法制备多晶<111>-3C-SiC薄膜 | 第31-53页 |
| 3.1 单一取向多晶<111>-3C-SiC薄膜的制备及研究 | 第31-38页 |
| 3.2 沉积压强对于多晶<111>-3C-SiC薄膜的影响 | 第38-45页 |
| 3.3 <111>-3C-SiC薄膜的生长机制与缺陷研究 | 第45-53页 |
| 第4章 激光化学气相沉积法制备外延<111>-3C-SiC薄膜 | 第53-69页 |
| 4.1 <111>-3C-SiC薄膜的外延生长 | 第53-58页 |
| 4.2 沉积压强对于外延<111>-3C-SiC薄膜的影响 | 第58-62页 |
| 4.3 沉积温度对于外延<111>-3C-SiC薄膜的影响 | 第62-69页 |
| 第5章 结论 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文、申请专利情况 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
