| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-12页 |
| 1.2 GaN基HEMTs器件研究进展 | 第12-14页 |
| 1.3 本文内容安排 | 第14-15页 |
| 1.4 本章小结 | 第15-16页 |
| 第二章 AlGaN/GaN器件工作原理 | 第16-31页 |
| 2.1 GaN材料的性质 | 第16-19页 |
| 2.1.1 GaN的结构特性 | 第16-17页 |
| 2.1.2 极化效应 | 第17-19页 |
| 2.2 AlGaN/GaN异质结 | 第19-22页 |
| 2.2.1 能带不连续性 | 第19-20页 |
| 2.2.2 二维电子气(2DEG) | 第20-22页 |
| 2.3 AlGaN/GaNHEMT | 第22-24页 |
| 2.4 AlGaN/GaNHEMT面临的主要问题 | 第24-25页 |
| 2.4.1 电流崩塌 | 第24-25页 |
| 2.4.2 体陷阱和表面陷阱 | 第25页 |
| 2.5 silvaco软件介绍 | 第25-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 掺杂势垒层的AlGaN/GaNHEMT的仿真研究 | 第31-45页 |
| 3.1 物理模型 | 第31-36页 |
| 3.1.1 禁带宽度 | 第31-32页 |
| 3.1.2 有效载流子质量 | 第32-33页 |
| 3.1.3 介电常数 | 第33页 |
| 3.1.4 晶格常数 | 第33页 |
| 3.1.5 晶格应力 | 第33-34页 |
| 3.1.6 压电极化 | 第34-35页 |
| 3.1.7 自发极化 | 第35-36页 |
| 3.2 器件结构及参数设置 | 第36-38页 |
| 3.3 器件的直流特性仿真 | 第38-41页 |
| 3.4 器件的交流特性仿真 | 第41-44页 |
| 3.5 本章小节 | 第44-45页 |
| 第四章 带有AlN间隔层的AlGaN/GaNHEMT的特性仿真 | 第45-57页 |
| 4.1 器件结构及参数设置 | 第45-48页 |
| 4.2 器件的直流特性仿真 | 第48-53页 |
| 4.3 器件频率特性仿真 | 第53-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 多沟道势垒层器件特性仿真 | 第57-63页 |
| 5.1 器件结构和参数设置 | 第57-59页 |
| 5.2 器件的直流特性仿真 | 第59-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73页 |