| 中文摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 英文缩略词 | 第14-15页 |
| 第1章 文献综述 | 第15-25页 |
| 1.1 电离辐射 | 第15页 |
| 1.2 DNA损伤 | 第15-16页 |
| 1.3 DNA损伤修复 | 第16-19页 |
| 1.3.1 DNA损伤修复机制 | 第16-17页 |
| 1.3.2 细胞周期阻滞 | 第17-18页 |
| 1.3.3 DNA损伤修复的相关分子通路 | 第18-19页 |
| 1.4 ATM | 第19-21页 |
| 1.4.1 ATM结构 | 第19-20页 |
| 1.4.2 ATM在DNA损伤修复中的作用 | 第20-21页 |
| 1.5 组蛋白甲基化与DNA损伤 | 第21-22页 |
| 1.5.1 组蛋白甲基化 | 第21页 |
| 1.5.2 组蛋白甲基化与DNA损伤 | 第21-22页 |
| 1.6 H3K27me3生物学作用功能 | 第22-23页 |
| 1.7 组蛋白甲基化的催化酶系统 | 第23-25页 |
| 第2章 材料和方法 | 第25-42页 |
| 2.1 实验材料 | 第25-30页 |
| 2.1.1 实验试剂 | 第25-27页 |
| 2.1.2 主要实验耗材 | 第27-28页 |
| 2.1.3 主要实验仪器 | 第28-29页 |
| 2.1.4 试剂配制 | 第29-30页 |
| 2.2 实验方法 | 第30-42页 |
| 2.2.1 细胞培养 | 第30页 |
| 2.2.2 X线照射 | 第30-31页 |
| 2.2.3 细胞周期检测方法 | 第31页 |
| 2.2.4 CCK8法检测抑制剂GSK126对HepG2细胞的毒性作用 | 第31-32页 |
| 2.2.5 免疫荧光 | 第32页 |
| 2.2.6 EZH2干扰RNA细胞模型建立 | 第32-33页 |
| 2.2.7 EZH2过表达细胞模型建立 | 第33-35页 |
| 2.2.8 转录水平检测 | 第35-37页 |
| 2.2.9 Western Blot | 第37-39页 |
| 2.2.10 染色质免疫共沉淀技术（ChIP） | 第39-41页 |
| 2.2.11 统计学方法 | 第41-42页 |
| 第3章 实验结果 | 第42-69页 |
| 3.1 不同剂量电离辐射对HepG2细胞表型的影响 | 第42-43页 |
| 3.1.1 对细胞周期进程的影响 | 第42页 |
| 3.1.2 对细胞DNA损伤的影响 | 第42-43页 |
| 3.2 电离辐射对EZH2、BMI-1 及ATM/Chk2/ p53通路相关基因表达水平的影响 | 第43-47页 |
| 3.2.1 对EZH2 mRNA表达水平的影响 | 第43-44页 |
| 3.2.2 对BMI-1 mRNA表达水平的影响 | 第44-45页 |
| 3.2.3 对ATM mRNA表达水平的影响 | 第45页 |
| 3.2.4 对Chk2 mRNA表达水平的影响 | 第45-46页 |
| 3.2.5 对p53 mRNA表达水平的影响 | 第46-47页 |
| 3.3 电离辐射HepG2细胞后加入GSK126对Pc Gs家族中EZH2、BMI-1、H3K27me3和ATM/Chk2/p53表达水平的影响 | 第47-52页 |
| 3.3.1 HepG2细胞中EZH2甲基化转移酶抑制剂GSK126的IC50测定 | 第47页 |
| 3.3.2 HepG2肝癌细胞中加入GSK126后细胞周期变化 | 第47-48页 |
| 3.3.3 DNA损伤变化 | 第48-50页 |
| 3.3.4 HepG2细胞加入GSK126后对EZH2以及ATM/ Chk2/ p53通路基因mRNA的影响 | 第50-52页 |
| 3.4 辐射诱导的HepG2肝癌细胞中加 GSK126后对EZH2、H3K27me3以及ATM/p53通路基因蛋白表达水平的影响 | 第52-55页 |
| 3.4.1 辐照HepG2细胞不同处理组H3K27me3蛋白表达水平变化 | 第52-53页 |
| 3.4.2 辐照HepG2细胞不同处理组EZH2蛋白表达水平变化 | 第53-54页 |
| 3.4.3 辐照HepG2细胞不同处理组ATM蛋白表达水平变化 | 第54页 |
| 3.4.4 辐照HepG2细胞不同处理组p53蛋白表达水平变化 | 第54-55页 |
| 3.5 干扰EZH2后HepG2细胞在不同辐照剂量下EZH2、H3K27me3及ATM / Chk2/p53表达水平的变化 | 第55-63页 |
| 3.5.1 干扰EZH2的HepG2细胞模型的建立及鉴定 | 第55-56页 |
| 3.5.2 干扰EZH2后不同剂量电离辐射对HepG2细胞 γH2AX、H3K27me3的影响 | 第56-58页 |
| 3.5.3 干扰EZH2后不同剂量电离辐射对HepG2细胞ATM/ Chk2/ p53通路基因mRNA水平表达的影响 | 第58-60页 |
| 3.5.4 干扰EZH2后不同剂量电离辐射对HepG2细胞H3K27me3及ATM/ p53通路基因蛋白表达水平的影响 | 第60-63页 |
| 3.6 EZH2过表达的 293T细胞不同剂量照射后对ATM/Chk2/p53通路基因mRNA及蛋白水平表达的影响 | 第63-67页 |
| 3.6.1 EZH2过表达的 293T细胞模型的建立及鉴定 | 第63-64页 |
| 3.6.2 EZH2转录及蛋白表达水平变化 | 第64-65页 |
| 3.6.3 ATM转录及蛋白表达水平变化 | 第65-66页 |
| 3.6.4 Chk2 mRNA表达水平变化 | 第66页 |
| 3.6.5 p53转录及蛋白表达水平变化 | 第66-67页 |
| 3.6.6 H3K27me3蛋白表达水平变化 | 第67页 |
| 3.7 ChIP实验结果 | 第67-69页 |
| 第4章 讨论 | 第69-74页 |
| 第5章 结论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-83页 |
| 作者简介在学期间所取得的科研成果 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
