| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 1 绪论 | 第11-26页 |
| ·半导体材料的发展 | 第11-13页 |
| ·半导体材料的发现 | 第11页 |
| ·半导体材料的分类 | 第11-13页 |
| ·宽禁带半导体材料 | 第13-20页 |
| ·SiC材料的基本性质和发展 | 第13页 |
| ·GaN材料的基本性质和发展 | 第13-16页 |
| ·ZnO材料的基本性质和发展 | 第16-20页 |
| ·半导体材料的制备方法和表征 | 第20-26页 |
| ·半导体材料的制备方法 | 第20-23页 |
| ·半导体材料的表征 | 第23-26页 |
| 2 n-ZnO/(InGaN/GaN)MQWs/p-GaN黄绿光发光二极管的制备 | 第26-40页 |
| ·实验设备介绍 | 第26-32页 |
| ·p-GaN生长系统介绍 | 第26-29页 |
| ·ZnO薄膜生长系统介绍 | 第29-32页 |
| ·(InGaN/GaN)量子阱的生长及研究 | 第32-36页 |
| ·量子阱的原理和发展 | 第32-33页 |
| ·InGaN的生长机制 | 第33-35页 |
| ·(InGaN/GaN)/p-GaN量子阱生长 | 第35-36页 |
| ·n-ZnO/(InGaN/GaN)MQWs/p-GaN发光二极管 | 第36-40页 |
| ·n-ZnO/(InGaN/GaN)MQWs/p-GaN发光二极管的制备 | 第36-37页 |
| ·n-ZnO/(InGaN/GaN)MQWs/p-GaN发光二极管的表征及其讨论 | 第37-40页 |
| 3 n-ZnO/i-ZnO/AlGaN/p-GaN发光二极管的制备与研究 | 第40-44页 |
| ·n-ZnO/i-ZnO/AlGaN/p-GaN发光二极管的制备 | 第40-41页 |
| ·n-ZnO/i-ZnO/AlGaN/p-GaN发光二极管的表征和结果讨论 | 第41-44页 |
| 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-50页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
